[发明专利]存储器件及其制备方法

说明书

本发明涉及一种存储器件及其制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成有绝缘结构及若干个第一有源结构，若干个第一有源结构于绝缘结构内间隔排布；进行物理气相淀积工艺，在衬底上形成字线导电层；图形化刻蚀字线导电层，得到若干条平行间隔排布的字线结构以及位于相邻字线结构之间的填充槽，填充槽包括同时露出第一有源结构部分顶表面和绝缘结构部分顶表面的第一填充槽；在第一填充槽中分别形成沿露出的第一有源结构的顶表面向字线结构的顶表面延伸的第二有源结构、沿露出的绝缘结构的顶表面向字线结构的顶表面延伸的隔离结构。达到提高字线结构导电性能及存储器件的性能的目的。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种存储器件及其制备方法。

背景技术

传统的存储器件制备工艺中，形成字线结构的步骤包括：第一步，在衬底上形成有源区(AA区)和浅槽隔离结构(STI)后，蚀刻出字线沟槽(WL trench)。第二步，通过CVD工艺在衬底上淀积形成金属钨薄膜填充字线沟槽后，进行刻蚀工艺去除多余金属钨薄膜，得到由剩余金属钨薄膜构成的字线结构。但是，通过该方法得到的字线结构存在导电性能差，进而影响存储器件性能的问题。

发明内容

基于此，有必要针对上述存储器件中字线结构导电性能差，进而影响存储器件性能的问题，提供一种存储器件及其制备方法。

一种存储器件的制备方法，包括：

提供衬底，衬底上形成有绝缘结构及若干个第一有源结构，若干个第一有源结构于绝缘结构内间隔排布；

进行物理气相淀积工艺，在衬底上形成字线导电层，字线导电层的顶表面高于第一有源结构的顶表面；

图形化刻蚀字线导电层，得到若干条平行间隔排布的字线结构及位于相邻字线结构之间的填充槽，填充槽包括同时露出第一有源结构部分顶表面和绝缘结构部分顶表面的第一填充槽；

在第一填充槽中形成沿露出的第一有源结构的顶表面向字线结构的顶表面延伸的第二有源结构；

在第一填充槽中形成沿露出的绝缘结构的顶表面向字线结构的顶表面延伸的隔离结构。

在其中一个实施例中，位于绝缘结构顶表面部分的字线导电层的底表面低于第一有源结构的顶表面，提供衬底的步骤包括：

提供表面形成有绝缘层的衬底；

图形化刻蚀绝缘层，得到绝缘结构及若干个于绝缘结构内间隔排布的有源沟槽；

填充有源沟槽，形成顶表面高于绝缘结构顶表面的第一有源结构。

在其中一个实施例中，有源沟槽露出衬底的上表面，填充有源沟槽，形成顶表面高于绝缘结构的第一有源结构的步骤包括：

进行外延工艺，在有源沟槽中形成所述第一有源结构。

在其中一个实施例中，在衬底上形成字线导电层的步骤包括：

在衬底上形成第一栅间绝缘层，第一栅间绝缘层覆盖第一有源结构的顶表面及绝缘结构的顶表面；

在第一栅间绝缘层的顶表面形成第一导电层；

在第一导电层的顶表面形成第二导电层；

其中，第一栅间绝缘层、第一导电层、第二导电层构成字线导电层。

在其中一个实施例中，图形化刻蚀字线导电层，得到若干条平行间隔排布的字线结构的步骤包括：

图形化刻蚀第二导电层、第一导电层及第一栅间绝缘层，得到包括依次叠加的第二导电结构、第一导电结构、第一栅间绝缘结构的字线结构。

在其中一个实施例中，第二导电结构包括钨导电结构，第一导电结构包括氮化钛结构，第一栅间绝缘结构包括氧化硅结构。