[发明专利]磁头及磁记录装置有效

专利信息
申请号: 202110210042.8 申请日: 2021-02-25
公开(公告)号: CN113763993B 公开(公告)日: 2023-03-24
发明(设计)人: 成田直幸;高岸雅幸;岩崎仁志;前田知幸 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
主分类号: G11B5/127 分类号: G11B5/127
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 张谟煜;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 磁头 记录 装置
【权利要求书】:

1.一种磁记录装置,具备:

磁头;

磁记录介质;及

电路,

所述磁头包括:

第1磁极;

第2磁极;及

层叠体,设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间,

所述层叠体包括:

第1磁性层;

第2磁性层,设置于所述第1磁极与所述第1磁性层之间;

第3磁性层,设置于所述第1磁极与所述第2磁性层之间;

第1非磁性层,设置于所述第1磁性层与所述第2磁极之间;

第2非磁性层,设置于所述第2磁性层与所述第1磁性层之间;及

第3非磁性层,设置于所述第3磁性层与所述第2磁性层之间,

所述第1磁性层包括Fe、Co及Ni中的至少1个,

所述第2磁性层包括Fe、Co及Ni中的至少1个,

所述第3磁性层包括第1元素和第2元素,所述第1元素包括Fe、Co及Ni中的至少1个,所述第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个,所述第1磁性层及所述第2磁性层不包括所述第2元素,或者,所述第1磁性层及所述第2磁性层中的所述第2元素的浓度比所述第3磁性层中的所述第2元素的浓度低,

所述第1非磁性层包括从由Cu、Ag、Au、Al及Cr构成的群选择出的至少1个,

所述第2非磁性层包括从由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh、Cr及Pd构成的群选择出的至少1个,

所述第3非磁性层包括从由Cu、Ag、Au、Al及Cr构成的群选择出的至少1个,

在所述层叠体流动的电流是第1电流时的所述层叠体的电阻是第1电阻,

在所述层叠体流动的所述电流是比所述第1电流大的第2电流时,所述层叠体的所述电阻是比所述第1电阻高的第2电阻,

在所述层叠体流动的所述电流是所述第1电流与所述第2电流之间的第3电流时,所述层叠体的所述电阻振荡,

在使用所述磁头向所述磁记录介质记录信息的记录动作中,所述电路能够将所述第2电流向所述层叠体供给。

2.根据权利要求1所述的磁记录装置,

所述第3非磁性层包括Cr。

3.根据权利要求1所述的磁记录装置,

所述第1非磁性层与所述第1磁性层及所述第2磁极相接,

所述第2非磁性层与所述第2磁性层及所述第1磁性层相接,

所述第3非磁性层与所述第3磁性层及所述第2磁性层相接。

4.根据权利要求1所述的磁记录装置,

所述第1磁极与所述第3磁性层相接。

5.根据权利要求1所述的磁记录装置,

所述层叠体还包括第4非磁性层,

所述第4非磁性层设置于所述第1磁极与所述第3磁性层之间,

所述第4非磁性层包括从由Cu、Ag、Au、Al及Cr构成的群选择出的至少1个。

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