[发明专利]磁头及磁记录装置有效
申请号: | 202110210042.8 | 申请日: | 2021-02-25 |
公开(公告)号: | CN113763993B | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
发明(设计)人: | 成田直幸;高岸雅幸;岩崎仁志;前田知幸 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
主分类号: | G11B5/127 | 分类号: | G11B5/127 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 张谟煜;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁头 记录 装置 | ||
1.一种磁记录装置,具备:
磁头;
磁记录介质;及
电路,
所述磁头包括:
第1磁极;
第2磁极;及
层叠体,设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间,
所述层叠体包括:
第1磁性层;
第2磁性层,设置于所述第1磁极与所述第1磁性层之间;
第3磁性层,设置于所述第1磁极与所述第2磁性层之间;
第1非磁性层,设置于所述第1磁性层与所述第2磁极之间;
第2非磁性层,设置于所述第2磁性层与所述第1磁性层之间;及
第3非磁性层,设置于所述第3磁性层与所述第2磁性层之间,
所述第1磁性层包括Fe、Co及Ni中的至少1个,
所述第2磁性层包括Fe、Co及Ni中的至少1个,
所述第3磁性层包括第1元素和第2元素,所述第1元素包括Fe、Co及Ni中的至少1个,所述第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个,所述第1磁性层及所述第2磁性层不包括所述第2元素,或者,所述第1磁性层及所述第2磁性层中的所述第2元素的浓度比所述第3磁性层中的所述第2元素的浓度低,
所述第1非磁性层包括从由Cu、Ag、Au、Al及Cr构成的群选择出的至少1个,
所述第2非磁性层包括从由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh、Cr及Pd构成的群选择出的至少1个,
所述第3非磁性层包括从由Cu、Ag、Au、Al及Cr构成的群选择出的至少1个,
在所述层叠体流动的电流是第1电流时的所述层叠体的电阻是第1电阻,
在所述层叠体流动的所述电流是比所述第1电流大的第2电流时,所述层叠体的所述电阻是比所述第1电阻高的第2电阻,
在所述层叠体流动的所述电流是所述第1电流与所述第2电流之间的第3电流时,所述层叠体的所述电阻振荡,
在使用所述磁头向所述磁记录介质记录信息的记录动作中,所述电路能够将所述第2电流向所述层叠体供给。
2.根据权利要求1所述的磁记录装置,
所述第3非磁性层包括Cr。
3.根据权利要求1所述的磁记录装置,
所述第1非磁性层与所述第1磁性层及所述第2磁极相接,
所述第2非磁性层与所述第2磁性层及所述第1磁性层相接,
所述第3非磁性层与所述第3磁性层及所述第2磁性层相接。
4.根据权利要求1所述的磁记录装置,
所述第1磁极与所述第3磁性层相接。
5.根据权利要求1所述的磁记录装置,
所述层叠体还包括第4非磁性层,
所述第4非磁性层设置于所述第1磁极与所述第3磁性层之间,
所述第4非磁性层包括从由Cu、Ag、Au、Al及Cr构成的群选择出的至少1个。
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