[发明专利]减小电路组件应力的装置和方法在审
申请号: | 202110211930.1 | 申请日: | 2021-02-25 |
公开(公告)号: | CN113380789A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | P·菲茨杰拉德;G·R·小斯波尔丁;J·E·D·赫维茨;M·J·弗林 | 申请(专利权)人: | 亚德诺半导体国际无限责任公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L29/06;H01L21/8249;H01L21/764 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 爱尔兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 减小 电路 组件 应力 装置 方法 | ||
1.集成电路,包括:
集成电路管芯,具有一个或多个应力敏感电路,所述应力敏感电路包括在所述集成电路管芯的第一表面上或附近形成的有源电路组件;
在所述一个或多个应力敏感电路周围形成一个或多个沟槽;和
在所述一个或多个应力敏感电路下面形成一个或多个空腔。
2.权利要求1所述的集成电路,其中所述一个或多个空腔物理上耦合到所述一个或多个沟槽。
3.权利要求1所述的集成电路,其中所述一个或多个空腔在所述一个或多个沟槽下延伸。
4.权利要求1所述的集成电路,其中所述一个或多个沟槽和所述一个或多个空腔被配置为形成电路平台,在所述集成电路管芯中,所述一个或多个应力敏感电路形成在所述电路平台上。
5.权利要求4所述的集成电路,其中所述一个或多个沟槽和所述一个或多个空腔被配置为形成一个或多个系绳,每个系绳将所述电路平台物理耦合到周围的集成电路管芯。
6.权利要求5所述的集成电路,其中每个系绳将所述电路平台上的相应的第一点耦合到周围的集成电路管芯上的相应的第二点,所述第一和第二点位于不同的圆周位置。
7.权利要求6所述的集成电路,其中所述电路平台和所述周围的集成电路管芯具有多个拐角,所述电路平台的拐角与所述集成电路管芯的各个拐角对齐,并且其中所述一个或多个系绳中的每一个都耦合在所述电路平台的拐角和与该电路平台的各个拐角不对齐的集成电路管芯的拐角之间。
8.权利要求7所述的集成电路,其中每个系绳包括主臂构件,该主臂构件布置成基本平行于所述电路平台的相应侧。
9.权利要求5所述的集成电路,还包括沿着所述一个或多个系绳形成的一个或多个导电轨道,用于将所述一个或多个应力敏感电路耦合到外部连接。
10.权利要求4所述的集成电路,其中所述一个或多个沟槽为L形;并且每个L形沟槽的拐角与所述电路平台的拐角对齐。
11.权利要求4所述的集成电路,其中在所述电路平台下方形成基座,所述电路平台耦合到所述集成电路管芯。
12.权利要求1所述的集成电路,其中所述一个或多个应力敏感电路包括无源电路组件,而所述有源或无源电路组件对应力敏感。
13.权利要求1所述的集成电路,其中所述有源电路组件包括下列中的一个或多个:晶体管、二极管、可变电容器、变容二极管、发光二极管和晶闸管;并且所述应力敏感电路包括下列中的一个或多个:放大器、参考电路、振荡器电路或数模转换器。
14.权利要求1所述的集成电路,其中所述一个或多个应力敏感电路包括以差分布置的两个或多个晶体管。
15.权利要求1所述的集成电路,还包括形成在所述一个或多个应力敏感电路上方的微机电系统(MEMS)盖。
16.一种制造集成电路的方法,该方法包括:
提供集成电路管芯;
在所述集成电路管芯的第一表面上或附近形成包括有源电路组件的一个或多个应力敏感电路;
在所述一个或多个应力敏感电路附近形成一个或多个沟槽;和
在所述一个或多个应力敏感电路下面形成空腔。
17.根据权利要求16所述的方法,其中所述集成电路管芯由硅制成,并且所述一个或多个沟槽使用深硅蚀刻形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于亚德诺半导体国际无限责任公司,未经亚德诺半导体国际无限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110211930.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:气体混合供应装置和供应系统及气体混合供应方法
- 下一篇:电池系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的