[发明专利]减小电路组件应力的装置和方法在审
申请号: | 202110211930.1 | 申请日: | 2021-02-25 |
公开(公告)号: | CN113380789A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | P·菲茨杰拉德;G·R·小斯波尔丁;J·E·D·赫维茨;M·J·弗林 | 申请(专利权)人: | 亚德诺半导体国际无限责任公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L29/06;H01L21/8249;H01L21/764 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 爱尔兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 减小 电路 组件 应力 装置 方法 | ||
本公开涉及减小电路组件应力的装置和方法。本公开涉及包括各种结构元件的集成电路,这些结构元件被设计成减少应变对电路的电子部件的影响。特别是,将沟槽和空腔的组合用于将集成电路与周围的基板机械隔离。沟槽可以形成为使得它们围绕集成电路,并且空腔可以形成在集成电路之下。这样,可以在形成平台的基板的一部分上形成集成电路。为了使平台不移动,可以将其系到周围的基板。通过包括这样的机械元件,减小集成电路的电特性的变化。
技术领域
本申请涉及用于减小电路部件上的应力的装置和方法。
背景技术
集成电路(“IC”)通常会由于构成IC封装的不同材料的物理性能差异而遭受机械应变。这些材料包括半导体材料、氧化物材料、金属和各种用于封装IC的塑料。这些材料具有不同的膨胀温度系数(“TCE”)、吸湿性和粘弹性、会随温度、湿度和时间的变化而对IC施加机械应变。
机械应变会导致IC内电路组件的电气特性发生变化。在制造过程中,可以进行校准,以尽量减少机械应变对电气特性的影响。但是,制造后,IC仍会因温度、湿度和时间而变化。此外,IC封装上的外力会影响IC的应变。例如,在IC测试期间,机械处理器可以将外力施加到IC上。
申请人的在先公开US2013/0292793提出在IC周围使用沟槽,以将IC与周围基板中的机械应变隔离开。然而,在本领域中需要改进的技术以最小化由于应变导致的IC封装内的电敏电路组件的电特性变化。
发明内容
本公开涉及包括各种结构元件的集成电路,这些结构元件被设计成减少应变对电路的电子部件的影响。特别是,将沟槽和空腔的组合用于将集成电路与周围的基板机械隔离。沟槽可以形成为使得它们围绕集成电路,并且空腔可以形成在集成电路之下。这样,可以在形成平台的基板的一部分上形成集成电路。为了使平台不移动,可以将其系绳固定到周围的基板上。通过包含这样的机械元件,可以最大程度地减少应力和应变向敏感电路的传递,并减少集成电路电气特性的变化。
在第一方面,本公开提供集成电路,包括:集成电路管芯,具有一个或多个应力敏感电路组件,所述应力敏感电路组件在所述集成电路管芯的第一表面上或附近形成;在所述一个或多个应力敏感电路组件周围形成一个或多个沟槽;和在所述一个或多个应力敏感电路组件下面形成一个或多个空腔。
在第二方面,本公开提供一种制造集成电路的方法,该方法包括:提供集成电路管芯;在所述集成电路管芯的第一表面上或附近形成一个或多个应力敏感电路组件;在所述一个或多个组件附近形成一个或多个沟槽;在所述一个或多个应力敏感电路组件下面形成空腔。
在第三方面,本公开提供一种制造集成电路的方法,该方法包括:提供在其第一表面中形成有空腔的晶片;将集成电路管芯结合到第一表面;在所述集成电路管芯的第一表面中形成一个或多个沟槽;其中在所述一个或多个沟槽形成的区域内,在所述集成电路管芯的第一表面上或附近形成一个或多个应力敏感组件。
本公开的其他实施例和特征在所附权利要求中定义。
附图说明
现在将结合附图仅以示例的方式描述本公开,其中:
图1是根据本公开的实施例的集成电路的截面图;
图2A至2E是图1的集成电路的剖视图,示出了制造过程中的各个步骤。
图3是示出图2A至2E的制造过程的流程图。
图4是根据本公开实施例的集成电路的平面图。
图5是根据本公开实施例的集成电路的平面图。
图6是示出图5的集成电路所经受的应力的模拟;
图7是根据本公开实施例的集成电路的平面图。
图8A至图8F是根据本公开的另外的实施例的集成电路的平面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的