[发明专利]存储器设备及其操作方法

权利要求书

1.一种存储器设备，包括：

多个单元串，每个单元串包括漏极选择晶体管、源极选择晶体管、和串联耦合在所述漏极选择晶体管与所述源极选择晶体管之间的多个存储器单元；

外围电路，被配置为对从所述多个单元串之中选择的单元串执行编程操作和编程验证操作；以及

控制逻辑，被配置为在所述编程验证操作期间基于所述编程操作的进展程度与参考进展程度之间的比较，来控制所述外围电路升高所述多个单元串之中的至少一个未选择单元串的沟道电压。

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中：

所述编程操作的所述进展程度是基于针对所述编程操作的编程循环计数，以及

所述参考进展程度是参考编程循环计数。

3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中：

所述编程操作的所述进展程度是基于针对所述编程操作的编程验证水平，以及

所述参考进展程度是参考编程验证水平。

4.根据权利要求1所述的存储器设备，其中：

所述多个单元串中包括的相应源极选择晶体管耦合到共用源极线，以及

在所述编程验证操作期间，接地电压被施加到所述共用源极线。

5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中在所述编程验证操作期间，当所述编程操作的所述进展程度低于所述参考进展程度时，所述控制逻辑控制所述外围电路将第一导通电压施加到与所选择单元串中包括的源极选择晶体管耦合的第一源极选择线，并且将接地电压施加到与所述至少一个未选择单元串中包括的源极选择晶体管耦合的第二源极选择线。

6.根据权利要求1所述的存储器设备，其中在所述编程验证操作期间，当所述编程操作的所述进展程度等于或高于所述参考进展程度时，所述控制逻辑控制所述外围电路将第一导通电压施加到与所选择单元串中包括的源极选择晶体管耦合的第一源极选择线，并且将第二导通电压施加到与所述至少一个未选择单元串中包括的源极选择晶体管耦合的第二源极选择线。

7.根据权利要求6所述的存储器设备，其中所述第二导通电压低于或等于所述第一导通电压。

8.根据权利要求6所述的存储器设备，其中所述第二导通电压被施加到所述第二源极选择线的时段短于或等于所述第一导通电压被施加到所述第一源极选择线的时段。

9.一种存储器设备，包括：

第一单元串、第二单元串、第三单元串和第四单元串，每个单元串包括漏极选择晶体管、源极选择晶体管、和串联耦合在所述漏极选择晶体管与所述源极选择晶体管之间的多个存储器单元；

外围电路，被配置为对所述第一单元串中的存储器单元执行编程操作和编程验证操作；以及

控制逻辑，被配置为在所述编程验证操作期间基于所述编程操作的进展程度与参考进展程度之间的比较，来控制所述外围电路升高所述第三单元串和所述第四单元串的沟道电压，

其中所述第一单元串和所述第二单元串中包括的相应源极选择晶体管耦合到第一源极选择线，以及

其中所述第三单元串和所述第四单元串中包括的相应源极选择晶体管耦合到第二源极选择线。

10.根据权利要求9所述的存储器设备，其中：

所述编程操作的所述进展程度是基于针对所述编程操作的编程循环计数，以及

所述参考进展程度是参考编程循环计数。

11.根据权利要求9所述的存储器设备，其中：

所述编程操作的所述进展程度是基于针对所述编程操作的编程验证水平，以及

所述参考进展程度是参考编程验证水平。

12.根据权利要求9所述的存储器设备，其中：

所述第一单元串至所述第四单元串中包括的相应源极选择晶体管耦合到共用源极线，以及

在所述编程验证操作期间，接地电压被施加到所述共用源极线。