[发明专利]一种基于AuNPs/MXene@PAMAM的3D纳米复合材料免疫传感器的制备方法

权利要求书

1.一种基于AuNPs/MXene@PAMAM的3D纳米复合材料免疫传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将丝网印刷碳电极SPCE置于0.1M NaOH溶液中采用循环伏安法进行活化，条件如下：电位-0.6～+1.3V，扫速100mV/s，循环次数为24圈；活化后用超纯水清洗电极表面，氮气吹干备用；

(2)通过将树枝状聚酰胺基胺PAMAM分子对Ti₃C₂T_χ-MXene进行修饰得到MXene@PAMAM；将12μL、5mg/mL MXene@PAMAM的分散液均匀地滴涂于活化后的SPCE上，置于25℃下干燥后，用超纯水清洗电极表面，氮气吹干，标记为MXene@PAMAM/SPCE；

(3)将12μL制备好的纳米金溶液滴涂于MXene@PAMAM/SPCE表面以构建3D纳米体系，4℃孵育2h后，用超纯水清洗电极表面，氮气吹干，标记为AuNPs/MXene@PAMAM/SPCE；此步骤中制备合成纳米金过程具体为：将HAuCl₄·3H₂O固体配制成浓度为0.01％w/v的溶液，取100mL加入到圆底烧瓶中，并固定于回流装置上，通过油浴锅加热并250rpm搅拌，当溶液沸腾后，加入4mL质量分数为1％的柠檬酸三钠溶液，继续加热20分钟，最终溶液会由无色过渡到淡灰色最终变为酒红色；最后将合成好的纳米材料静置冷却至室温，并且避光保存在4℃条件下；

(4)将10μL 60μg/ml巯基化的心肌肌钙蛋白T cTnT单克隆抗体溶液滴涂于AuNPs/MXene@PAMAM/SPCE表面，25℃孵育90分钟，1×PBS清洗，氮气吹干，标记为mAb-SH/AuNPs/MXene@PAMAM/SPCE；

(5)将mAb-SH/AuNPs/MXene@PAMAM/SPCE置于0.5％w/v的牛血清蛋白溶液中，25℃下孵育40分钟以封闭空白位点，1×PBS清洗，氮气吹干，即制得cTnT免疫传感器，标记为BSA/mAb-SH/AuNPs/MXene@PAMAM/SPCE，置于4℃温度下待用；

(6)将制备好的cTnT免疫传感器进行电化学测试，在5mM[Fe(CN)₆]^3-/4-氧化还原对下测得不同浓度cTnT的DPV信号，通过cTnT与特异性抗体结合后导致免疫传感器DPV电流变化进行线性拟合，得到cTnT线性检测范围与最低检测限。