[发明专利]一种半导体化合物材料的单晶生长工艺设备

权利要求书

1.一种半导体化合物材料的单晶生长工艺设备，包括外部的炉体（1）及内部的同轴的石英管（13），石英管（13）内放置有同轴坩埚（14），炉体（1）与石英管（13）之间固定设置有单段式加热器（12），坩埚（14）内部放置有多晶料，底部放置有籽晶（11），石英管（13）底部设置有用于支撑石英管（13）的支撑装置（10），其特征在于：所述的单段式加热器（12）外侧固定安装有温梯筒（2），所述的温梯筒（2）带有环形的过液腔（16），过液腔（16）底部螺纹连接有封堵环（3），封堵环（3）内圈、外圈分别与温梯筒（2）螺纹连接，转动封堵环（3）的同时，封堵环（3）也相对温梯筒（2）发生轴向移动，从而可连续性改变过液腔（16）最低点位置，封堵环（3）沿周向均匀加工有进液孔，进液孔内插装有进液管（5），进液管（5）与封堵环（3）固定连接，进液管（5）下方设置有储液箱（7），进液管（5）下端插入储液箱（7）内，储液箱（7）内的进液管（5）上固接有卡环（6），从而进液管（5）上行时拉动储液箱（7）同步上行，所述的支撑装置（10）外侧固接有支撑装置（10）径向的驱动杆（4），所述的驱动杆（4）伸入到相邻的进液管（5）间隙内，从而支撑装置（10）转动驱动着进液管（5）转动，支撑装置（10）下方设置有用于驱动支撑装置（10）转动的旋转系统（8）；

过液腔（16）上端设置有出液口（15）；

储液箱（7）外侧设置有储液加热器（9），储液加热器（9）与储液箱（7）固定连接。

2.根据权利要求1所述的一种半导体化合物材料的单晶生长工艺设备，其特征在于：所述的支撑装置（10）与旋转系统（8）之间设置有行星减速机构（17），所述的行星减速机构（17）包括太阳轮（1701）、行星轮（1702）、行星架（1703）和外齿圈（1704），所述的行星架（1703）通过连接件（18）与单段式加热器（12）固定连接，太阳轮（1701）与旋转系统（8）连接，外齿圈（1704）与驱动杆（4）连接，从而驱动杆（4）与支撑装置（10）之间存在转速差。