[发明专利]一种晶圆清洗方法和装置在审
| 申请号： | 202110214514.7 | 申请日： | 2021-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN114975076A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 南昌铉;杨涛;李俊峰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 清洗 方法 装置 | ||
1.一种晶圆清洗方法，其特征在于，所述方法包括：
将目标晶圆置于清洗腔体内；
采用臭氧水溶液和氨水溶液清洗所述目标晶圆。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用臭氧水溶液和氨水溶液清洗所述目标晶圆，具体包括：
交替地采用所述臭氧水溶液和所述氨水溶液清洗所述目标晶圆。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述交替地采用所述臭氧水溶液和所述氨水溶液清洗所述目标晶圆，包括：
采用所述臭氧水溶液持续5-10秒清洗所述目标晶圆；
采用所述氨水溶液持续5-10秒清洗所述目标晶圆。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述交替地采用所述臭氧水溶液和所述氨水溶液清洗所述目标晶圆的交替次数为3次-5次。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用所述氨水溶液清洗所述目标晶圆，还包括：
采用氮气对所述氨水溶液进行喷雾操作，得到氨水喷雾；
采用所述氨水喷雾清洗所述目标晶圆。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述氨水喷雾为微米级喷雾。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
所述臭氧水溶液和所述氨水溶液采用不同的管道进行供应。
8.如权利要求1-7所述的方法，其特征在于，所述臭氧水溶液中臭氧的浓度为30-50ppm。
9.如权利要求1-7所述的方法，其特征在于，所述氨水溶液中水与氢氧化铵的份数比为10:1-20:1。
10.如权利要求1-7所述的方法，其特征在于，所述氨水溶液的温度为25℃-70℃。
11.一种晶圆清洗装置，其特征在于，包括：
清洗腔体，用于放置目标晶圆；
第一管道，用于向所述目标晶圆喷洒臭氧水溶液，以清洗所述目标晶圆；
第二管道，用于向所述目标晶圆喷洒氨水溶液，以清洗所述目标晶圆。
12.如权利要求11所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：
第三管道，与所述第二管道连通，用于向所述第二管道输送氮气，利用所述氮气对所述第二管道的所述氨水溶液进行喷雾操作，得到氨水喷雾，以清洗所述目标晶圆。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司，未经中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
