[发明专利]一种晶圆清洗方法和装置

说明书

本发明公开了一种晶圆清洗方法和装置，包括：将目标晶圆置于清洗腔体内；采用臭氧水溶液和氨水溶液清洗目标晶圆。本申请使用臭氧水溶液代替SC1清洗工艺中的双氧水溶液，对目标晶圆表面的颗粒进行氧化，再使用氨水溶液中的氢氧化铵产生排斥的双电层，达到去除颗粒的目的；产生的废液中的臭氧不需要进行处理，能直接排放，不仅减少了对于环境的污染，还节省了废液处理的费用；并且还避免了双氧水溶液的使用，节省了化学液的费用。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆清洗方法和装置。

背景技术

制造半导体的代表性清洗工艺SC1(Standard Cleaning-1)是以强碱氨水和强氧化剂双氧水(化学式为H₂O₂)，以及水(化学式为H₂O)为基础，按一定比例混合制成的混合液。其中，氨水为混合物，混合物中的有效物质为氢氧化铵，化学式为NH₄OH；氨水中的有效物质也称为水合氨，化学式为NH₃H₂O。

SC1混合液对半导体制造过程中生成的晶圆表面的颗粒的去除力效果非常好，至今被广泛使用。但是，由于SC1混合液使用大量化学液，导致废液量不断增加，特别是双氧水，会造成环境污染，也导致废液处理费用较高，因此，亟需一种可以减少环境污染、降低废液处理费用的半导体清洗技术。

发明内容

本申请实施例通过提供一种晶圆清洗方法和装置，解决了现有技术中清洗废液污染环境，且废液处理费用较高的技术问题，实现了减少环境污染、降低废液处理费用的技术效果。

第一方面，本申请提供了一种晶圆清洗方法，方法包括：

将目标晶圆置于清洗腔体内；

采用臭氧水溶液和氨水溶液清洗目标晶圆。

进一步地，采用臭氧水溶液和氨水溶液清洗目标晶圆，具体包括：

交替地采用臭氧水溶液和氨水溶液清洗目标晶圆。

进一步地，交替地采用臭氧水溶液和氨水溶液清洗目标晶圆，包括：

采用臭氧水溶液持续5-10秒清洗目标晶圆；

采用氨水溶液持续5-10秒清洗目标晶圆。

进一步地，交替地采用臭氧水溶液和氨水溶液清洗目标晶圆的交替次数为3次-5次。

进一步地，采用氨水溶液清洗目标晶圆，还包括：

采用氮气对氨水溶液进行喷雾操作，得到氨水喷雾；

采用氨水喷雾清洗目标晶圆。

进一步地，氨水喷雾为微米级喷雾。

进一步地，方法还包括：

臭氧水溶液和氨水溶液采用不同的管道进行供应。

进一步地，臭氧水溶液中臭氧的浓度为30-50ppm。

进一步地，氨水溶液中水与氢氧化铵的份数比为10:1-20:1。

进一步地，氨水溶液的供应温度为25℃-70℃。

第二方面，本申请提供了一种晶圆清洗装置，包括：

清洗腔体，用于放置目标晶圆；

第一管道，用于向目标晶圆喷洒臭氧水溶液，以清洗目标晶圆；

第二管道，用于向目标晶圆喷洒氨水溶液，以清洗目标晶圆。

进一步地，装置还包括：