[发明专利]半导体封装装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202110214658.2 | 申请日： | 2021-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN113013136A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 吕文隆 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京植德律师事务所 11780 | 代理人： | 唐华东 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体封装装置，包括：
衬底，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面设置的衬底上电连接件电连接所述第二表面设置的衬底下电连接件；
至少两个间隔物，设置于所述第一表面，且所述间隔物的高度大于等于各所述衬底上电连接件的高度；
粘合层，包围所述第一表面、所述衬底上电连接件和各所述间隔物；
衬底重布线层，设置于所述粘合层和所述间隔物上。
导电导孔，暴露于所述衬底重布线层的上表面向所述衬底延伸并接触所述衬底上电连接件。
2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述间隔物的材料强度为10到100兆帕斯卡。
3.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述间隔物是通过非导电胶或非导电薄膜粘合至所述第一表面。
4.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括第一焊垫，设置于所述衬底重布线层远离所述衬底的上表面且电连接所述衬底重布线层。
5.根据权利要求4所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括芯片，所述芯片设置于所述衬底重布线层的上表面且电连接所述第一焊垫。
6.根据权利要求5所述的半导体封装装置，其中，所述芯片接近所述衬底重布线层的方向设置有芯片重布线层，所述芯片通过所述芯片重布线层电连接所述第一焊垫。
7.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述粘合层为B阶段介电材。
8.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述间隔物与所述衬底上电连接件的最小水平距离大于等于5微米，所述间隔物与所述衬底上重布线层中线路图案的最小水平距离大于等于2微米。
9.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置中所述间隔物的数量、所述间隔物的降服强度和材料强度、所述间隔物的水平截面面积以及将所述衬底重布线层接合至所述衬底的接合力之间满足以下公式：
Sy≤Fm/A
Fm/(nA)≤Sp
其中，Sy和Sp分别为所述间隔物的降服强度和材料强度，所述Fm为将所述衬底重布线层接合至所述衬底的接合力，n为所述半导体封装装置中所述间隔物的数量，A为所述间隔物的水平截面面积。
10.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括设置于所述粘合层的以下至少一项：无源元件，打线。
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