[发明专利]光调制器及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202110215316.2 申请日: 2021-02-25
公开(公告)号: CN113721377A 公开(公告)日: 2021-11-30
发明(设计)人: 丸山真示;牧野俊太郎;酒井喜充;久保田嘉伸 申请(专利权)人: 富士通光器件株式会社
主分类号: G02F1/035 分类号: G02F1/035
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 刘久亮;黄纶伟
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 调制器 及其 制造 方法
【说明书】:

光调制器及其制造方法。在所述光调制器中光信号从封装的一侧输入,所述光调制器在所述封装中包括对所述光信号进行光调制的芯片,在所述芯片中所述光信号的输入波导和输出波导被引导到彼此不同的目的地,所述目的地分别是所述芯片的面向所述封装的所述一侧的一端和所述芯片的与所述芯片的所述一端正交的侧表面;耦合到所述芯片的输入波导的输入光学系统;以及耦合到所述芯片的输出波导的输出光学系统。

技术领域

这里讨论的实施方式涉及光调制器。

背景技术

高性能光调制器对于高速光通信是必不可少的。近来,已经公开了减小光通信装置的尺寸并集成光通信装置的高带宽相干驱动器调制器(HB-CDM)。此外,铌酸锂LiNbO3(以下称为LN)基板用作光调制器的基板(芯片),由此可以获得在插入损耗和传输特性方面的有利特性。光调制器通过钛(Ti)扩散形成在LN基板上。

虽然这种LN光调制器(体LN光调制器)被广泛使用,但是当应用于HB-CDM时,芯片尺寸增大。HB-CDM具有这样的结构,其中用于光信号的输入和输出光纤设置在封装的一侧,用于RF信号的驱动器设置在封装的另一侧。因此,在HB-CDM中,正在研究使用薄膜LN作为芯片以实现比体LN光调制器更大的尺寸减小的薄膜LN光调制器的应用。

作为与光调制器相关的技术,例如,已经公开了一种光调制器,其被构造为具有设置在相同端面的用于光信号的输入波导和输出波导(例如,参考日本特开专利公报No.2004-287116)。

发明内容

根据实施方式的一方面,其中光信号从封装的一侧输入的光调制器在封装中包括:对所述光信号进行光调制的芯片,在所述芯片中所述光信号的输入波导和输出波导被引导到彼此不同的目的地,每个目的地是所述芯片的面向所述封装的一侧的一端和所述芯片的与所述芯片的所述一端正交的侧表面;耦合到所述芯片的输入波导的输入光学系统;以及耦合到所述芯片的输出波导的输出光学系统。

本发明的目的和优点将通过权利要求中特别指出的要素和组合来实现和获得。

应当理解,前面的一般描述和下面的详细描述都是示例性和说明性的,而不是对本发明的限制。

附图说明

图1是根据第一实施方式的光调制器的平面图。

图2是图1的一部分的放大图。

图3A是描绘根据第一实施方式的光调制器的配置的具体示例的图。

图3B是描绘根据第一实施方式的光调制器的配置的具体示例的图。

图4是描绘根据第一实施方式的光调制器的配置的具体示例的图。

图5是描绘根据第一实施方式的光调制器的配置的具体示例的图。

图6是描绘根据第一实施方式的光调制器的配置的具体示例的图。

图7A是描绘根据第一实施方式的光调制器的配置的具体示例的图。

图7B是描绘根据第一实施方式的光调制器的配置的具体示例的图。

图8是根据第二实施方式的光调制器的平面图。

图9是描绘根据第二实施方式的光调制器的配置的具体示例的图。

图10是描绘根据第二实施方式的光调制器的配置的具体示例的图。

图11是描绘根据第二实施方式的光调制器的配置的具体示例的图。

图12是描绘根据第二实施方式的光调制器的配置的具体示例的图。

图13A是在制造期间根据实施方式的光调制器的芯片的状态的平面图。

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