[发明专利]基片输送系统和负载锁定模块在审
申请号: | 202110215948.9 | 申请日: | 2021-02-26 |
公开(公告)号: | CN113380660A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 网仓纪彦;堂込公宏;北正知 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;徐飞跃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 输送 系统 负载 锁定 模块 | ||
1.一种基片输送系统,其特征在于,包括:
大气基片输送模块;
真空基片输送模块;和
负载锁定模块,其配置于所述大气基片输送模块的侧面且配置于所述真空基片输送模块的上表面或者下表面,
所述负载锁定模块包括:
具有第1基片输送口和第2基片输送口的容器,所述第1基片输送口形成在所述容器的侧面,能够使所述容器的内部与所述大气基片输送模块连通,所述第2基片输送口形成在所述容器的下表面或者上表面,能够使所述容器的内部与所述真空基片输送模块连通;
可开闭所述第1基片输送口的第1门;
可开闭所述第2基片输送口的第2门;和
基片升降机构,其构成为能够使基片经由所述第2基片输送口在所述容器内的第1位置与所述真空基片输送模块内的第2位置之间升降,所述第1位置为与所述第1基片输送口相同的高度。
2.如权利要求1所述的基片输送系统,其特征在于:
所述大气基片输送模块具有第1输送机械臂,
所述第1输送机械臂构成为能够经由所述第1基片输送口在所述第1位置与连接于所述大气基片输送模块的装载端口之间输送基片。
3.如权利要求1或2所述的基片输送系统,其特征在于:
所述真空基片输送模块具有第2输送机械臂,
所述第2输送机械臂构成为能够在所述第2位置与连接于所述真空基片输送模块的基片处理模块之间输送基片。
4.如权利要求1至3中任一项所述的基片输送系统,其特征在于:
所述负载锁定模块配置于所述真空基片输送模块的下表面,
所述第2位置是比所述第1位置高的位置。
5.如权利要求4所述的基片输送系统,其特征在于:
所述负载锁定模块具有门升降机构,
所述门升降机构构成为能够使所述第2门在关闭位置与打开位置之间升降,所述关闭位置是用所述第2门将所述第2基片输送口从上关闭的位置,所述打开位置是比所述第2位置高的位置。
6.如权利要求5所述的基片输送系统,其特征在于:
所述门升降机构构成为能够相对于所述基片升降机构所进行的基片的升降独立地使所述第2门升降。
7.如权利要求5所述的基片输送系统,其特征在于:
所述门升降机构构成为能够与所述基片升降机构所进行的基片的升降一起使所述第2门升降。
8.如权利要求4至7中任一项所述的基片输送系统,其特征在于:
所述基片升降机构具有:
构成为能够支承基片的多个升降销;和
构成为能够使所述多个升降销升降的驱动部。
9.一种负载锁定模块,其特征在于,包括:
具有第1基片输送口和第2基片输送口的容器,所述第1基片输送口形成在所述容器的侧面,能够使所述容器的内部与大气基片输送模块连通,所述第2基片输送口形成在所述容器的下表面或者上表面,能够使所述容器的内部与真空基片输送模块连通;
可开闭所述第1基片输送口的第1门;
可开闭所述第2基片输送口的第2门;和
基片升降机构,其构成为能够使基片经由所述第2基片输送口在所述容器内的第1位置与所述真空基片输送模块内的第2位置之间升降,所述第1位置为与所述第1基片输送口相同的高度。
10.如权利要求9所述的负载锁定模块,其特征在于:
所述第2位置是比所述第1位置高的位置,
所述负载锁定模块具有门升降机构,
所述门升降机构构成为能够使所述第2门在关闭位置与打开位置之间升降,所述关闭位置是用所述第2门将所述第2基片输送口从上关闭的位置,所述打开位置是比所述第2位置高的位置。
11.如权利要求9或10所述的负载锁定模块,其特征在于:
所述基片升降机构具有:
构成为能够支承基片的多个升降销;和
构成为能够使所述多个升降销升降的驱动部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造