[发明专利]基片输送系统和负载锁定模块在审
申请号: | 202110215948.9 | 申请日: | 2021-02-26 |
公开(公告)号: | CN113380660A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 网仓纪彦;堂込公宏;北正知 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;徐飞跃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 输送 系统 负载 锁定 模块 | ||
本发明提供一种基片输送系统和负载锁定模块。基片输送系统包括大气基片输送模块、真空基片输送模块和配置于大气基片输送模块的侧面且配置于真空基片输送模块的上表面或下表面的负载锁定模块。负载锁定模块具有容器、第1门、第2门和基片升降机构。容器具有:成在容器的侧面,能够使容器内与大气基片输送模块连通的第1基片输送口;和能够使容器内与真空基片输送模块连通的第2基片输送口。第1门可开闭第1基片输送口。第2门可开闭第2基片输送口。基片升降机构使基片经由第2基片输送口在容器内的第1位置与真空基片输送模块内的第2位置之间升降。第1位置为与第1基片输送口相同的高度。根据本发明,能够削减基片处理系统的设置面积。
技术领域
本发明的各种方面和实施方式涉及基片输送系统和负载锁定模块。
背景技术
专利文献1中记载了具有3个用于载置基片输送容器的承载器载置台的半导体制造装置,该基片输送容器保存规定个数的作为处理对象的晶片。专利文献1的半导体制造装置在大气气氛下具有输送晶片的第1输送室。专利文献1的半导体制造装置具有用于将室内切换为大气气氛和真空气氛并使晶片待机的、例如左右并排2个的负载锁定室。专利文献1的半导体制造装置包括:在真空气氛下输送晶片的第2输送室;和用于对被送入的晶片实施工艺处理的例如4个处理模块。此外,专利文献1中记载了设置于第1输送室内的输送装置。专利文献1的输送装置中,基台构成为借助驱动机构而能够沿第1输送室的长度方向移动且可升降,能够在对准室与基片输送容器之间交接晶片。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2015-18875号公报。
发明内容
发明要解决的问题
本发明提供能够削减基片处理系统的设置面积的基片输送系统和大气输送模块。
用于解决问题的技术手段
本发明的一方面是基片输送系统,其包括大气基片输送模块、真空基片输送模块和配置于大气基片输送模块的侧面且配置于真空基片输送模块的上表面或下表面的负载锁定模块。负载锁定模块具有容器、第1门、第2门和基片升降机构。容器具有第1基片输送口和第2基片输送口。第1基片输送形成在容器的侧面,能够使容器的内部与大气基片输送模块连通。第2基片输送口形成在容器的下表面或者上表面,能够使容器的内部与真空基片输送模块。第1门可开闭第1基片输送口。第2基片输送门可开闭第2基片输送口。基片升降机构构成为能够使基片经由第2基片输送口在容器内的第1位置与真空基片输送模块内的第2位置之间升降。第1位置为与第1基片输送口相同的高度。
发明效果
依照本发明的各种方面和实施方式,能够削减基片处理系统的设置面积。
附图说明
图1是表示第1实施方式中的基片处理系统的一个例子的俯视图。
图2是表示图1中的基片处理系统的A-A截面的一个例子的图。
图3是表示图2中的基片处理系统的B-B截面的一个例子的图。
图4是表示第1实施方式中的负载锁定模块的一个例子的截面图。
图5是表示门结构体的一个例子的立体图。
图6是表示闸门打开的状态下的负载锁定模块的一个例子的截面图。
图7是表示输送基片时的基片处理系统的一个例子的截面图。
图8是表示输送基片时的基片处理系统的一个例子的截面图。
图9是表示输送基片时的基片处理系统的一个例子的截面图。
图10是表示第2实施方式中的负载锁定模块的一个例子的截面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造