[发明专利]一种使用预处理粉料制备碳化硅晶体的生长方法

权利要求书

1.一种使用预处理粉料制备碳化硅晶体的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、制备预处理粉料：

碳化硅粉料依次用浓氨水与双氧水等体积混合溶液、去离子水清洗，用1～10wt％氢氟酸浸泡所述碳化硅粉料30～120s后用去离子水清洗，然后将所述碳化硅粉料放入100℃去离子水中加热得到氢钝化的碳化硅粉料；将所得氢钝化的碳化硅粉料与保护溶剂充分混合，然后旋蒸蒸发保护溶剂至混合物呈粉状，得到预处理粉料；

步骤二、PVT法制备碳化硅晶体：

将步骤一所得预处理粉料置于坩埚底部，将碳化硅籽晶粘贴于坩埚顶部，坩埚内部抽真空并保持真空度将坩埚内部加热至900～1700℃，向坩埚内部充入氩气，将坩埚内部温度加热至1800～2200℃并保温进行碳化硅晶体生长，晶体生长完成后降温、充入氩气至常压，得到碳化硅晶体。

2.根据权利要求1所述一种使用预处理粉料制备碳化硅晶体的生长方法，其特征在于，步骤一所述氢氟酸的浓度为1wt％，所述碳化硅粉料在1wt％氢氟酸中的浸泡时间为60s。

3.根据权利要求1或2所述一种使用预处理粉料制备碳化硅晶体的生长方法，其特征在于，步骤一所述碳化硅粉料在100℃去离子水中加热的时间为300～600s。

4.根据权利要求3所述一种使用预处理粉料制备碳化硅晶体的生长方法，其特征在于，步骤一所述保护溶剂为二甲基硅油、白油或石蜡油。

5.根据权利要求4所述一种使用预处理粉料制备碳化硅晶体的生长方法，其特征在于，步骤一所述碳化硅粉料与保护溶剂的质量体积比为1:1～1:2。

6.根据权利要求5所述一种使用预处理粉料制备碳化硅晶体的生长方法，其特征在于，步骤二所述坩埚内部抽真空的真空度为10^-5-10^-3torr。

7.根据权利要求6所述一种使用预处理粉料制备碳化硅晶体的生长方法，其特征在于，步骤二所述坩埚内部加热的速率均为500～1000℃/h。

8.根据权利要求7所述一种使用预处理粉料制备碳化硅晶体的生长方法，其特征在于，步骤二所述充入氩气的气压为0.01-10atm。

9.根据权利要求8所述一种使用预处理粉料制备碳化硅晶体的生长方法，其特征在于，步骤二所述碳化硅晶体生长的保温时间为30～80h。

10.根据权利要求9所述一种使用预处理粉料制备碳化硅晶体的生长方法，其特征在于，步骤二所述晶体生长完成后降温至200～500℃再充入氩气至常压。