[发明专利]一种光子传感芯片制备方法及光子传感芯片

权利要求书

1.一种光子传感芯片制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：取第一硅基材料(1)，通过腐蚀成型一腔体(10)；

S2：取第二硅基材料(2)，覆盖于所述第一硅基材料(1)的腔体(10)上，并使第一硅基材料(1)和第二硅基材料(2)的接触部分键合；键合时先于所述第一硅基材料(1)上涂抹BCB胶形成BCB胶层，并于BCB层上形成通气孔(4)，键合后所述通气孔(4)一端联通所述腔体(10)，另一端联通第一硅基材料(1)与相邻的第一硅基材料(1)之间的间隙；所述通气孔(4)位于四角处；

S3：将所述第二硅基材料(2)远离第一硅基材料(1)的一侧减薄；

S4：将所述第二硅基材料(2)进行刻蚀，在所述腔体(10)上方形成镜面体(22)，所述镜面体(22)四周镂空通过梁臂(222)与所述第二硅基材料(2)的其它部分连接；

S5：在所述镜面体(22)外表面镀上镜面层；

S4步骤中先通过机械减薄至100μm，再通过深反应离子刻蚀至目标厚度。

2.根据权利要求1所述的光子传感芯片制备方法，其特征在于，所述通气孔(4)包括相互垂直布置的若干个，且不同方向布置的通气孔(4)的数量相等。

3.根据权利要求1或2所述的光子传感芯片制备方法，其特征在于，所述通气孔(4)的宽度为10-20微米。

4.根据权利要求1所述的光子传感芯片制备方法，其特征在于，所述通气孔(4)通过在BCB胶层上进行光刻形成。

5.一种光子传感芯片制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：取第一硅基材料(1)，通过腐蚀成型一腔体(10)；

S2：取第二硅基材料(2)，覆盖于所述第一硅基材料(1)的腔体(10)上，并使第一硅基材料(1)和第二硅基材料(2)的接触部分键合；S2步骤中第一硅基材料(1)和第二硅基材料(2)的接触部分键合采用BCB胶键合，在第二硅基材料(2)上刻蚀形成等压孔(9)，所述等压孔(9)一端联通所述腔体(10)，另一端位于第二硅基材料(2)顶端开口，且位于待刻蚀成镂空区域；

S3：将所述第二硅基材料(2)远离第一硅基材料(1)的一侧减薄；

S4：将所述第二硅基材料(2)进行刻蚀，在所述腔体(10)上方形成镜面体(22)，所述镜面体(22)四周镂空通过梁臂(222)与所述第二硅基材料(2)的其它部分连接；

S5：在所述镜面体(22)外表面镀上镜面层；

所述等压孔(9)分为位于顶部的垂直部分和位于底端的倾斜部分，使用机械减薄减薄垂直部分的厚度，使用深反应离子刻蚀倾斜部分的厚度。