[发明专利]一种光子传感芯片制备方法及光子传感芯片有效
| 申请号： | 202110217144.2 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113135550B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 刘晓海 | 申请（专利权）人： | 欧梯恩智能科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C3/00;B81B7/00;G01H9/00 |
| 代理公司： | 北京商专润文专利代理事务所(普通合伙) 11317 | 代理人： | 邢若兰;王祖悦 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市姑*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光子 传感 芯片 制备 方法 | ||
本申请涉及一种光子传感芯片制备方法，在BCB胶层上成型通气孔或者第二硅基材料上设置等压孔，通过通气孔或者等压孔使空腔与外部保持压力相等，能够有效避免空腔内外部存在压差而导致结构破裂。本申请还提供一种由上述方法制备得到的光子传感芯片，具有良品率高的优点。
技术领域
本申请属于光子芯片技术领域，尤其是涉及一种光子传感芯片制备方法及光子传感芯片。
背景技术
光子传感芯片通常顶端具有镜片用于反射光线，当光子传感芯片受到震动时，顶端的镜片会发生震动，从而影响反射光线的反射角度，据此由感光器在感应到反射角度的变化从而确定震动的发生并感知震动的相关参数。
光子传感芯片通常具有一个空腔，空腔的形成一般先在第一硅基材料上刻蚀形成空腔，然后再第二硅基材料以键合的形式固定在第一硅基材料上，最后再减薄第二硅基材料。然而在第一硅基与第二硅基材料键合后空腔被完全封闭，空腔内外部存在压差，在制备过程中容易导致结构破裂。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：为解决现有技术中的不足，从而提供一种能够避免空腔内外部存在压差而导致结构破裂的光子传感芯片制备方法及光子传感芯片。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种光子传感芯片制备方法，包括以下步骤：
S1：取第一硅基材料，通过腐蚀成型一腔体；
S2：取第二硅基材料，覆盖于所述第一硅基材料的腔体上，并使第一硅基材料和第二硅基材料的接触部分键合；键合时先于所述第一硅基材料上涂抹BCB胶形成BCB胶层，并于BCB层上形成通气孔，键合后所述通气孔一端联通所述腔体，另一端联通第一硅基材料与相邻的第一硅基材料之间的间隙；
S3：将所述第二硅基材料远离第一硅基材料的一侧减薄；
S4：将所述第二硅基材料进行刻蚀，在所述腔体上方形成镜面体，所述镜面体四周镂空通过梁臂与所述第二硅基材料的其它部分连接；
S5：在所述镜面体外表面镀上镜面层。
优选地，本发明的光子传感芯片制备方法，所述通气孔位于四角处。
优选地，本发明的光子传感芯片制备方法，所述通气孔包括相互垂直布置的若干个，且不同方向布置的通气孔的数量相等。
优选地，本发明的光子传感芯片制备方法，所述通气孔的宽度为10-20微米。
优选地，本发明的光子传感芯片制备方法，所述通气孔通过在BCB胶层上进行光刻形成。
优选地，本发明的光子传感芯片制备方法，
S4步骤中先通过机械减薄至100μm，再通过深反应离子刻蚀至目标厚度。
本申请还提供一种光子传感芯片制备方法，包括以下步骤：
S1：取第一硅基材料，通过腐蚀成型一腔体；
S2：取第二硅基材料，覆盖于所述第一硅基材料的腔体上，并使第一硅基材料和第二硅基材料的接触部分键合；S2步骤中第一硅基材料和第二硅基材料的接触部分键合采用BCB胶键合，在第二硅基材料上刻蚀形成等压孔，所述等压孔一端联通所述腔体，另一端位于第二硅基材料顶端开口，且位于待刻蚀成镂空区域；
S3：将所述第二硅基材料远离第一硅基材料的一侧减薄；
S4：将所述第二硅基材料进行刻蚀，在所述腔体上方形成镜面体，所述镜面体四周镂空通过梁臂与所述第二硅基材料的其它部分连接；
S5：在所述镜面体外表面镀上镜面层。
优选地，本发明的光子传感芯片制备方法，
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