[发明专利]半导体器件在审

专利信息
申请号: 202110219075.9 申请日: 2021-02-26
公开(公告)号: CN113161313A 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 吕文隆 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台湾高雄市*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体器件
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,其特征在于,包括:

导电柱,包括竖直延伸部和水平延伸部;

接垫,具有凹槽结构;

导电胶,位于所述凹槽结构中,所述导电柱通过所述导电胶与所述接垫连接,

所述导电柱的所述竖直延伸部的最大直径小于所述凹槽结构的最大直径,所述凹槽结构的最大直径小于所述水平延伸部的直径,所述水平延伸部的直径小于所述接垫的最大直径。

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,还包括:

衬底,具有所述接垫;

扇出结构,具有所述导电柱,

所述扇出结构通过粘合层与所述衬底固定连接。

3.根据权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,还包括:

芯片,位于所述扇出结构上,并通过所述扇出结构电连接至所述衬底。

4.根据权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,所述接垫位于所述衬底的支撑柱的端部。

5.根据权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,所述粘合层包封相互接合的所述导电柱、所述导电胶和所述接垫。

6.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,多个所述导电柱和多个所述接垫一一对应地连接,所述多个接垫的顶面的高度不同。

7.根据权利要求6所述的半导体器件,其特征在于,部分所述导电柱相对于所对应地所述接垫偏移。

8.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,

所述导电柱和所述接垫均包括种子层以及由所述种子层包围的金属材料,所述种子层与所述金属材料共形。

9.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述水平延伸部的底面为曲面。

10.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述导电胶为焊料。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110219075.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top