[发明专利]一种Micro OLED去除杂质颗粒的基板前处理装置及处理方法

权利要求书

1.一种Micro OLED去除杂质颗粒的基板前处理装置的处理方法，其特征在于，具有：

表面处理模块，能够向基板发射等离子流；

赋电模块，能够对基板上的杂质颗粒附加电荷；

磁场模块，能够对基板上的带电杂质颗粒施加电磁力；

输送机构，能够使基板在所述表面处理模块、赋电模块、磁场模块内输送；所述基板能够在所述赋电模块和磁场模块之间往复运动；

所述表面处理模块为等离子腔，所述等离子腔内能够朝向所述基板发射等离子流；

所述赋电模块为电场腔，所述磁场模块为磁场腔；

包括如下步骤：

1）用等离子流轰击基板表面杂质颗，使杂质颗失去电中性变为带上正/负电荷；

2）通过电场腔进一步给带有正/负电荷的杂质颗粒赋予能量；

3）在磁场腔中，在特定磁场方向上，通过基板的速度，带电粒子会向特定方向移动到杂质颗粒收集模块中，从而实现基板表面的杂质颗粒去除功能；

其中，基板在电场腔和磁场腔中往复运动多次。

2.如权利要求1所述的Micro OLED去除杂质颗粒的基板前处理装置的处理方法，其特征在于，所述磁场腔内还设有杂质颗粒收集模块。

3.如权利要求2所述的Micro OLED去除杂质颗粒的基板前处理装置的处理方法，其特征在于，所述等离子腔和电场腔之间还设有真空过渡腔。

4.如权利要求3所述的Micro OLED去除杂质颗粒的基板前处理装置的处理方法，其特征在于，所述等离子腔的前端和磁场腔的后端还设有传送腔，所述传送腔内设有具有传片功能的机械手。

5.如权利要求4所述的Micro OLED去除杂质颗粒的基板前处理装置的处理方法，其特征在于，所述磁场腔与后端的传送腔之间还设有真空过渡腔。

6.如权利要求5所述的Micro OLED去除杂质颗粒的基板前处理装置的处理方法，其特征在于，前端的传送腔上设有上料口，后端的传送腔上设有出料口。

7.如权利要求6所述的Micro OLED去除杂质颗粒的基板前处理装置的处理方法，其特征在于，相邻腔室之间均通过阀门连接。