[发明专利]用于半导体存储器装置的错误检查和擦除在审

专利信息
申请号: 202110219629.5 申请日: 2021-02-26
公开(公告)号: CN113393890A 公开(公告)日: 2021-09-14
发明(设计)人: R·J·鲁尼;M·A·布莱瑟 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42;G11C11/406
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 半导体 存储器 装置 错误 检查 擦除
【权利要求书】:

1.一种方法,其包括:

在存储器装置处接收指向存储器单元库的第一刷新命令;

响应于接收到所述第一刷新命令,激活所述存储器单元库的目标行并且从所述目标行检索数据,所述数据包括对应于与所述目标行相关联的地址的码字;

检测所述检索到的数据的所述码字中的至少一个错误;

在所述存储器装置处接收指向所述存储器单元库的第二刷新命令;和

响应于接收到所述第二刷新命令,激活所述目标行并且在所述地址处写入具有所述至少一个经校正错误的所述码字。

2.根据权利要求1所述的方法,其另外包括:

在所述存储器装置处接收到所述第二刷新命令之前解除激活所述存储器单元库的所述目标行。

3.根据权利要求1所述的方法,其另外包括:

至少部分地基于检测到所述码字中的所述至少一个错误而校正所述至少一个错误,其中检测和校正所述码字中的所述至少一个错误包括使用所述存储器装置的错误校正码ECC电路。

4.根据权利要求3所述的方法,其另外包括:

基于校正所述码字中的所述至少一个错误,向寄存器写入所述码字已经校正的指示。

5.根据权利要求1所述的方法,其另外包括:

将包含具有所述至少一个经校正错误的所述码字的所述数据写入于与所述存储器单元库耦合的一或多个寄存器中。

6.根据权利要求1所述的方法,其另外包括:

确定尚未执行通到所述地址的写入命令,其中在所述地址处写入具有所述至少一个经校正错误的所述码字是基于所述确定。

7.一种方法,其包括:

在存储器装置处接收指向包含多个行的存储器单元库的第一刷新命令;和

响应于接收到所述第一刷新命令:

激活所述多个行中的第一行;

从所述第一行检索第一码字,所述第一码字对应于与所述第一行相关联的地址;

使用所述存储器装置的错误校正码ECC电路检查所述第一码字中的一或多个错误;和

在激活所述多个行中的第二行之前解除激活所述第一行。

8.根据权利要求7所述的方法,其另外包括:

校正所述第一码字中的至少一个错误;和

将具有所述至少一个经校正错误的所述第一码字存储于与所述存储器单元库耦合的一或多个寄存器中。

9.根据权利要求7所述的方法,其另外包括:

在所述存储器装置处接收指向所述存储器单元库的第二刷新命令;和

响应于接收到所述第二刷新命令:

确定所述第一码字不包含错误;

激活所述第二行;

从所述第二行检索第二码字;和

使用所述ECC电路检查所述第二码字中的一或多个错误。

10.根据权利要求7所述的方法,其另外包括:

当所述ECC电路基于检查所述第一码字中的所述一或多个错误而检测到所述至少一个错误时,使用所述ECC电路校正所述第一码字中的至少一个错误;和

设置所述第一码字已经校正的指示。

11.根据权利要求10所述的方法,其另外包括:

在所述存储器装置处接收指向所述存储器单元库的第二刷新命令;和

响应于接收到所述第二刷新命令:

激活所述第一行;和

至少部分地基于所述指示,在所述地址处写入具有所述至少一个经校正错误的所述第一码字。

12.根据权利要求11所述的方法,其另外包括:

确定在所述地址处尚未执行写入命令,其中在所述地址处写入具有所述至少一个经校正错误的所述第一码字是基于所述确定。

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