[发明专利]用于半导体存储器装置的错误检查和擦除

说明书

本申请案涉及用于半导体存储器装置的错误检查和擦除。描述用于存储器装置(例如，DRAM)的包含结合刷新操作的错误检查和擦除ECS程序的方法、系统和设备。所述ECS程序可当在码字中检测到错误时包含读取/修改‑写入循环。在一些实施例中，所述存储器装置可在多个刷新命令内完成所述ECS程序，即通过在执行第一刷新命令时执行所述ECS程序的读取(或读取/修改)部分，以及通过在执行第二刷新命令时执行所述ECS程序的写入部分来完成所述ECS程序。本文中所描述的所述ECS程序可有助于避免可在所述ECS程序和其它存储器操作之间出现的信令冲突或干扰。

技术领域

本公开大体上涉及存储器装置，且更具体来说，涉及用于半导体存储器装置的错误检查和擦除。

背景技术

存储器装置广泛地用于存储与例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置相关的信息。存储器装置可为易失性或非易失性并且可具有各种类型，例如磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)等。通过将存储器单元充电到具有不同状态来使信息存储于各种类型的RAM中。改进RAM存储器装置通常可包含增加存储器单元密度、增加读取/写入速度或以其它方式减少操作时延、增加可靠性、增加数据保持、减少功率消耗或减少制造成本等。

发明内容

本公开的一方面针对于一种方法，其包括：在存储器装置处接收指向存储器单元库的第一刷新命令；响应于接收到所述第一刷新命令，激活所述存储器单元库的目标行并且从所述目标行检索数据，所述数据包括对应于与所述目标行相关联的地址的码字；检测所述检索到的数据的所述码字中的至少一个错误；在所述存储器装置处接收指向所述存储器单元库的第二刷新命令；和响应于接收到所述第二刷新命令，激活所述目标行并且在所述地址处写入具有所述至少一个经校正错误的所述码字。

本公开的另一方面针对于一种方法，其包括：在存储器装置处接收指向包含多个行的存储器单元库的第一刷新命令；和响应于接收到所述第一刷新命令：激活所述多个行中的第一行；从所述第一行检索第一码字，所述第一码字对应于与所述第一行相关联的地址；使用所述存储器装置的错误校正码(ECC)电路检查所述第一码字中的一或多个错误；和在激活所述多个行中的第二行之前解除激活所述第一行。

本公开的又一方面针对于一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其包含存储器单元库；错误校正码(ECC)电路，其与所述存储器阵列耦合；和电路系统，其与所述存储器阵列和所述ECC电路耦合，所述电路系统被配置成：从主机装置接收指向所述存储器单元库的第一刷新命令；响应于接收到所述第一刷新命令，激活所述存储器单元库的目标行并且从所述目标行检索数据，所述数据包括对应于与所述目标行相关联的地址的码字；使用所述ECC电路检测所述码字中的至少一个错误；在所述存储器装置处接收指向所述存储器单元库的第二刷新命令；和响应于接收到所述第二刷新命令，激活所述目标行并且在所述地址处写入具有所述至少一个经校正错误的所述码字。

附图说明

根据下文给出的详细描述和本公开的各种实施例的附图，将更充分地理解本公开。

图1说明根据本发明技术的一实施例的示意性地说明存储器装置的简化框图。

图2是根据本公开的一实施例的说明用于执行错误检查和擦除(ECS)程序的各种组件的实例存储器装置的简化框图。

图3是根据本公开的一实施例的用于执行ECS程序的实例流程图。

图4是示意性地说明根据本公开的一实施例的实例存储器系统的简化框图。

图5是根据本公开的一实施例的实例计算机系统的框图。

图6和7是根据本公开的一些实施例的用于执行ECS程序的方法的流程图。

具体实施方式