[发明专利]用于在集成电路处理期间保护经单个化集成电路裸片的方法及相关设备

权利要求书

1.一种方法，其包括：

在载体的切割带上提供经单个化集成电路IC裸片，其中所述经单个化IC裸片定位在所述切割带上，以在相邻的经单个化IC裸片的侧面之间提供开放空间；

在所述经单个化IC裸片及所述相邻的经单个化IC裸片的所述侧面之间的所述开放空间上面安置底部填充层及保护覆盖膜，其中所述保护覆盖膜经定位在所述底部填充层上面，其中所述底部填充层及所述保护覆盖膜包括一或多个可光界定的材料；

执行曝光操作以在所述底部填充层及所述保护覆盖膜上产生图案；及

根据所述图案，在所述相邻的经单个化IC裸片的所述侧面之间的所述开放空间上面的区域处将所述底部填充层及所述保护覆盖膜移除，以形成安置在所述经单个化IC裸片上面的所述底部填充层的部分及所述保护覆盖膜的部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在所述载体的所述切割带上提供装置晶片，其中所述装置晶片包括IC裸片；及

将所述IC裸片与所述装置晶片分离，以形成所述经单个化IC裸片。

3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：

执行清洁操作以移除与所述将所述IC裸片与所述装置晶片分离相关联的松散颗粒。

4.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述曝光操作以在所述底部填充层及所述保护覆盖膜上产生所述图案包括：

使光穿过所述切割带的底面及所述开放空间投射到所述底部填充层及所述保护覆盖膜的区域以形成所述图案。

5.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述曝光操作以在所述底部填充层及所述保护覆盖膜上产生所述图案包括：

使光穿过所述保护覆盖膜的顶部表面投射到所述底部填充层以形成所述图案。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

将所述保护覆盖膜的一或多个部分从所述经单个化IC裸片移除，其中所述移除所述保护覆盖膜的所述一或多个部分暴露在所述经单个化IC裸片上面的所述底部填充层的相应一或多个部分。

7.根据权利要求6所述的方法，其中从所述经单个化IC裸片移除所述保护覆盖膜的所述一或多个部分包括：

执行脱胶操作，所述脱胶操作移除所述保护覆盖膜的所有所述部分。

8.根据权利要求6所述的方法，其中从所述经单个化IC裸片移除所述保护覆盖膜的所述一或多个部分包括：

将所述保护覆盖膜在第一经单个化IC裸片上面的第一部分移除；

将所述第一经单个化IC裸片从所述载体移除；及

在将所述第一经单个化IC裸片从所述载体移除之后，将所述保护覆盖膜在第二经单个化IC裸片上面的第二部分移除。

9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：

在移除所述第一经单个化IC裸片之后，将所述第一经单个化IC裸片堆叠在另一IC裸片上面。

10.一种设备，其包括：

载体；

经单个化集成电路IC裸片，其定位在所述载体上面，其中所述经单个化IC裸片定位在所述载体上，以在相邻的经单个化IC裸片的侧面之间提供开放空间；及

底部填充层，其位于所述经单个化IC裸片上面；及

保护覆盖膜，其位于所述底部填充层上面，其中所述保护覆盖膜使用粘合接合耦合到所述底部填充层。

11.根据权利要求10所述的设备，其中所述经单个化IC裸片与位于所述载体上面的装置晶片分离。

12.根据权利要求10所述的设备，其中所述底部填充层包括非导电膜，其中所述底部填充层及所述保护覆盖膜经层压到所述IC裸片，且其中所述底部填充层或保护覆盖膜中的一或多个包括可光界定的材料。