[发明专利]半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其特征在于，包含：

半导体堆叠，包含第一半导体层，第二半导体层，以及主动层位于该第一半导体层和该第二半导体层之间；

多个第一沟槽，穿过该第二半导体层和该主动层以裸露该第一半导体层的一部分上表面；

第二沟槽，穿过该第二半导体层和该主动层以裸露该第一半导体层的另一部分上表面及周围侧表面，其中该第二沟槽位于该主动层的最外侧，并环绕该主动层及该多个第一沟槽；

第一金属区域位于该第二半导体层上并与该第二半导体层电连接；

第二金属区域位于该第二半导体层上，并填入于该多个第一沟槽的一个内及该第二沟槽内，其中该第二金属区域电性隔离于该第一金属区域，该第二金属区域经由该多个第一沟槽的一个及经由该第二沟槽与该第一半导体层电连接；

第一焊接部，位于该第二半导体层上，并电连接至该第一金属区域；以及

第二焊接部，位于该第二半导体层上，并电连接至该第二金属区域。

2.一种半导体发光元件，其特征在于，包含：

半导体堆叠，包含第一半导体层，第二半导体层，以及主动层位于该第一半导体层和该第二半导体层之间；

多个第一沟槽，穿过该第二半导体层和该主动层以裸露该第一半导体层的一部分上表面；

第二沟槽，穿过该第二半导体层和该主动层以裸露该第一半导体层的另一部分上表面及周围侧表面，其中该第二沟槽位于该主动层的最外侧，并环绕该主动层及该多个第一沟槽；

图案化金属层，位于该第二半导体层上，并填入于该多个第一沟槽的一个内及该第二沟槽内，其中该图案化金属层经由该多个第一沟槽的一个及经由该第二沟槽与该第一半导体层电连接；

第一焊接部，位于该第二半导体层上，并电连接至该第二半导体层；

第二焊接部，位于该第二半导体层上，并电连接至该第一半导体层；以及

绝缘层，位于该图案化金属层及该第一焊接部之间，及/或位于该图案化金属层及该第二焊接部之间，其中该绝缘层包含多个开口，该第一焊接部通过该多个开口以电连接至该第二半导体层，及/或该第二焊接部通过该多个开口以电连接至该第一半导体层。

3.如权利要求1或2所述的半导体发光元件，其中该多个第一沟槽从该第二沟槽分支出去，且该多个第一沟槽远离该第二沟槽的一端不与该第二沟槽连接，或该多个第一沟槽的两端分别连接至该第二沟槽。

4.如权利要求1或2所述的半导体发光元件，其中该多个第一沟槽的其中之一的宽度大于该第二沟槽的宽度。

5.如权利要求1或2所述的半导体发光元件，其中该多个第一沟槽彼此平行。

6.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中该第二金属区域包含填入该第二沟槽内的部分第二金属区域，该部分第二金属区域不与该第一焊接部及/或该第二焊接部直接接触。

7.如权利要求2所述的半导体发光元件，其中该图案化金属层包含填入该第二沟槽内的部分图案化金属层，该部分图案化金属层不与该第一焊接部及/或该第二焊接部直接接触。

8.如权利要求1所述的半导体发光元件，还包含绝缘层位于该第一金属区域及该第一焊接部之间及/或位于该第二金属区域及该第二焊接部之间，其中该绝缘层包含多个开口，该第一焊接部通过该多个开口以电连接至该第二半导体层，及/或该第二焊接部通过该多个开口以电连接至该第一半导体层。

9.如权利要求2或8所述的半导体发光元件，其中在半导体发光元件的上视图上，该多个开口分别位于两相邻的该多个第一沟槽之间，且不与该多个第一沟槽重叠。

10.如权利要求2所述的半导体发光元件，其中该图案化金属层包含第一金属区域以及第二金属区域，其中该第二金属区域电性隔离于该第一金属区域，该第一金属区域位于该第二半导体层上并与该第二半导体层电连接，该第二金属区域位于该第二半导体层上，并填入于该多个第一沟槽的一个内及该第二沟槽内，其中该第二金属区域经由该多个第一沟槽的一个及经由该第二沟槽与该第一半导体层电连接。