[发明专利]半导体发光元件

说明书

本发明公开一种半导体发光元件，包含一半导体堆叠，具有一第一半导体层，一第二半导体层以及一主动层；多个第一沟槽穿过第二半导体层及主动层以露出第一半导体层的部分上表面；一第二沟槽穿过第二半导体层及主动层以露出第一半导体层的另一部分上表面及一周围侧表面，其中第二沟槽位于主动层的一最外侧，并环绕主动层及多个第一沟槽；一第一金属区域位于第二半导体层上并与第二半导体层电连接，一第二金属区域位于第二半导体层上，并填入多个第一沟槽之一内及第二沟槽内，第二金属区域经由多个第一沟槽之一及该第二沟槽与第一半导体层电连接；以及一第一焊接部和一第二焊接部位于第二半导体层上，并分别电连接至第二半导体层和第一半导体层。

本申请是中国发明专利申请(申请号：201710828987.X，申请日：2017年09月14日，发明名称：半导体发光元件)的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种半导体发光元件的结构。

背景技术

发光二极管(Light-emitting Diode；LED)目前已经广泛地使用在光学显示装置、交通号志、数据存储装置、通讯装置、照明装置与医疗器材上。如图2所示，现有的LED具有一n型半导体层1104、一主动层1106与一p型半导体层1108依序形成于一基板1102之上，部分p型半导体层1108与主动层1106被移除以曝露部分n型半导体层1104，一p型电极a1与一n型电极a2分别形成于p型半导体层1108与n型半导体层1104之上。因为n型电极a2需要足够的面积以利后续制作工艺进行，例如打线，所以大部分的主动层1106被移除，导致发光效率降低。

此外，上述的LED还可以进一步地与其他元件组合连接以形成一发光装置(light-emitting apparatus)。图1为现有的发光装置结构示意图，如图1所示，一发光装置1200包含一具有至少一电路1204的次载体(sub-mount)1202；至少一焊料1206(solder)位于上述次载体1202上，通过此焊料1206将上述LED 1210粘结固定于次载体1202上并使LED 1210的基板1212与次载体1202上的电路1204形成电连接；以及，一电连接结构1208，以电连接LED1210的电极1214与次载体1202上的电路1204；其中，上述的次载体1202可以是导线架(leadframe)或大尺寸镶嵌基底(mounting substrate)，以便发光装置的电路规划并提高其散热效果。

发明内容

一种半导体发光元件，包含一半导体堆叠，包含一第一半导体层，一第二半导体层，以及一主动层位于第一半导体层和第二半导体层之间；多个第一沟槽，穿过第二半导体层和主动层以裸露第一半导体层的一部分上表面；一第二沟槽，穿过第二半导体层和主动层以裸露第一半导体层的一另一部分上表面及一周围侧表面，其中第二沟槽位于主动层的一最外侧，并环绕主动层及多个第一沟槽；一第一金属区域位于第二半导体层上并与第二半导体层电连接；一第二金属区域位于第二半导体层上，并填入于多个第一沟槽的一个内及第二沟槽内，其中第二金属区域电性隔离于第一金属区域，第二金属区域经由多个第一沟槽的一个及经由第二沟槽与第一半导体层电连接；一第一焊接部，位于第二半导体层上，并电连接至第一金属区域；以及一第二焊接部，位于第二半导体层上，并电连接至第二金属区域。