[发明专利]反射型阵列基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种反射型阵列基板，包括依次叠设的衬底基板、阵列结构层和结构色层，所述结构色层包括结构层，所述结构层包括多个结构阵列，每个结构阵列包括多个子阵列，每个子阵列对应一个子像素，每个子阵列由多个高度相同的纳米柱组成，用于反射一种颜色光。

2.根据权利要求1所述的反射型阵列基板，其特征在于，所述结构层为超表面结构。

3.根据权利要求2所述的反射型阵列基板，其特征在于，

用于反射红光的子阵列中纳米柱的周期为160至300nm，纳米柱的高度为80至150nm，纳米柱的结构宽度80至150nm；

用于反射绿光的子阵列中纳米柱的周期为240至450nm，纳米柱的高度为80至150nm，纳米柱的结构宽度80至150nm；

用于反射蓝光的子阵列中纳米柱的周期为320至600nm，纳米柱的高度为80至150nm，纳米柱的结构宽度80至150nm。

4.根据权利要求2所述的反射型阵列基板，其特征在于，

用于反射红光的子阵列中纳米柱的周期为150至200nm，纳米柱的高度为80至150nm，纳米柱的结构宽度为100至130nm；

用于反射绿光的子阵列中纳米柱的周期为150至200nm，纳米柱的高度为80至150nm，纳米柱的结构宽度为70至100nm；

用于反射蓝光的子阵列中纳米柱的周期为150至200nm，纳米柱的高度为80至150nm，纳米柱的结构宽度40至70nm。

5.根据权利要求1-4任一项所述的反射型阵列基板，其特征在于，所述结构色层还包括位于结构层上的保护层。

6.根据权利要求1-4任一项所述的反射型阵列基板，其特征在于，

所述阵列结构层包括在所述衬底基板上依次设置的栅电极、栅绝缘层、有源层、源漏电极、钝化层、像素电极和平坦化层。

7.根据权利要求2所述的反射型阵列基板，其特征在于，所述超表面结构的材料包括铝、银或铝钕合金。

8.一种显示装置，其特征在于，包括对盒的第一基板和第二基板，所述第一基板采用如权利要求1-7任一项所述的反射型阵列基板，所述第二基板包括衬底基板和电极层。

9.一种反射型阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

衬底基板的一侧制备阵列结构层；

在阵列结构层背离衬底基板的一侧制备结构色层，所述结构色层包括结构层，所述结构层包括多个结构阵列，每个结构阵列包括多个子阵列，每个子阵列对应一个子像素，每个子阵列由多个高度相同的纳米柱组成，用于反射一种颜色光。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，

用于反射红光的子阵列中纳米柱的周期为160至300nm，纳米柱的高度为80至150nm，纳米柱的结构宽度80至150nm；用于反射绿光的子阵列中纳米柱的周期为240至450nm，纳米柱的高度为80至150nm，纳米柱的结构宽度80至150nm；用于反射蓝光的子阵列中纳米柱的周期为320至600nm，纳米柱的高度为80至150nm，纳米柱的结构宽度80至150nm；或者

用于反射红光的子阵列中纳米柱的周期为150至200nm，纳米柱的高度为80至150nm，纳米柱的结构宽度为100至130nm；用于反射绿光的子阵列中纳米柱的周期为150至200nm，纳米柱的高度为80至150nm，纳米柱的结构宽度为70至100nm；用于反射蓝光的子阵列中纳米柱的周期为150至200nm，纳米柱的高度为80至150nm，纳米柱的结构宽度40至70nm。