[发明专利]反射型阵列基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202110221019.9 | 申请日: | 2021-02-26 |
公开(公告)号: | CN113031355A | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 郭康;谷新 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/136 | 分类号: | G02F1/136;G02F1/1335;H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反射 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明实施例提供一种反射型阵列基板及其制备方法、显示装置。反射型阵列基板包括依次叠设的衬底基板、阵列结构层和结构色层,所述结构色层包括结构层,所述结构层包括多个结构阵列,每个结构阵列包括多个子阵列,每个子阵列对应一个子像素,每个子阵列由多个高度相同的纳米柱组成,用于反射一种颜色光。相比使用彩膜层的方案,可以提高显示亮度。
技术领域
本公开实施例涉及显示技术领域,具体涉及一种反射型阵列基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
液晶显示(Liquid Crystal Display,LCD)按照采光方式可以分为透射型、反射型和半反半透型。其中,反射型LCD是利用环境光(如太阳光)的反射进行显示,相比于有背光源的透射型LCD,反射型LCD没有背光源,因此具有对比度高、功耗低、机身薄以及重量轻等优点,且采用自然光反射显示,有利于视觉保护。因此,反射型LCD被越来越多地应用于诸如手机、笔记本电脑、数码相机、个人数字助理等便携式电子终端。
现有反射型LCD的主体结构包括对盒的阵列(Thin Film Transistor,TFT)基板和彩膜(Color Filter,CF)基板,液晶(Liquid Crystal,LC)填充在阵列基板和彩膜基板之间。以自然光为光源时,由于存在CF层,反射率较低,因此存在亮度低的问题,以及以前置光源为光源时,功耗较大的问题。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题是,提供一种反射型阵列基板及其制备方法、显示装置,以解决现有结构亮度低的技术问题。
为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种反射型阵列基板,包括依次叠设的衬底基板、阵列结构层和结构色层,所述结构色层包括结构层,所述结构层包括多个结构阵列,每个结构阵列包括多个子阵列,每个子阵列对应一个子像素,每个子阵列由多个高度相同的纳米柱组成,用于反射一种颜色光。
可选地,所述结构层为超表面结构。
可选地,用于反射红光的子阵列中纳米柱的周期为160至300nm,纳米柱的高度为80至150nm,纳米柱的结构宽度80至150nm;用于反射绿光的子阵列中纳米柱的周期为240至450nm,纳米柱的高度为80至150nm,纳米柱的结构宽度80至150nm;用于反射蓝光的子阵列中纳米柱的周期为320至600nm,纳米柱的高度为80至150nm,纳米柱的结构宽度80至150nm。
可选地,用于反射红光的子阵列中纳米柱的周期为150至200nm,纳米柱的高度为80至150nm,纳米柱的结构宽度为100至130nm;用于反射绿光的子阵列中纳米柱的周期为150至200nm,纳米柱的高度为80至150nm,纳米柱的结构宽度为70至100nm;用于反射蓝光的子阵列中纳米柱的周期为150至200nm,纳米柱的高度为80至150nm,纳米柱的结构宽度40至70nm。
可选地,所述结构色层还包括位于结构层上的保护层。
可选地,所述阵列结构层包括在所述衬底基板上依次设置的栅电极、栅绝缘层、有源层、源漏电极、钝化层、像素电极和平坦化层。
可选地,所述超表面结构的材料包括铝、银或铝钕合金。
本发明实施例还提供了一种显示装置,包括对盒的第一基板和第二基板,所述第一基板采用如上所述的反射型阵列基板,所述第二基板包括衬底基板和电极层。
本发明实施例还提供了一种反射型阵列基板的制备方法,包括:
衬底基板的一侧制备阵列结构层;
在阵列结构层背离衬底基板的一侧制备结构色层,所述结构色层包括结构层,所述结构层包括多个结构阵列,每个结构阵列包括多个子阵列,每个子阵列对应一个子像素,每个子阵列由多个高度相同的纳米柱组成,用于反射一种颜色光。
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