[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法

权利要求书

1.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：

在衬底上形成包括导体材料的导体层；

在所述导体层上方形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠，所述堆叠包括其间具有水平拉长的沟槽的横向间隔开的存储器块区，沟道材料串延伸穿过所述第一层和所述第二层，所述第一层的材料具有与所述第二层的成分不同的成分，所述第一层的最低者厚于其上方的所述第一层；

选择性地相对于第二层材料各向同性地蚀刻所述第一层材料以在所述第一层中形成空隙空间；

将传导材料沉积到所述沟槽中并沉积到所述第一层中的所述空隙空间中，所述传导材料填充在所述最低第一层上方的所述第一层中的所述空隙空间，所述传导材料不完全填充所述最低第一层中的所述空隙空间；

从所述最低第一层蚀刻所述传导材料；以及

在蚀刻所述传导材料之后，将导电材料沉积到所述最低第一层的所述空隙空间中并使其将所述沟道材料串中的个别者的所述沟道材料和所述导体层的所述导体材料直接电耦合在一起。

2.根据权利要求1所述的方法，其包括在沉积所述导电材料之前蚀刻掉所述沟槽中的所有所述传导材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述导体层的所述导体材料的至少最上部部分具有与所述导电材料相同的成分。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述最低第一层比其上方的所述第一层厚至少1.5倍。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述最低第一层在所述各向同性蚀刻期间不直接抵靠所述导体层的所述导体材料。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第二层的最低者在所述各向同性蚀刻期间竖直处于所述导体层的所述导体材料和所述最低第一层之间。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述最低第二层在所述各向同性蚀刻期间薄于其上方的所述第二层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中在所述最低第二层上方的所述第二层的下一最低者在所述各向同性蚀刻期间厚于其上方的所述第二层。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电材料具有与所述导体层的所述导体材料的至少最上部部分不同的成分。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述沟道材料串的所述沟道材料的最低表面从未直接抵靠所述导体层中的任一个所述导体材料。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述最低第一层的所述空隙空间中的所述导电材料直接抵靠所述沟道材料串的所述沟道材料的侧壁。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述最低第一层的所述空隙空间中的所述导电材料直接抵靠所述导体层的所述导体材料的最上部表面。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述最低第一层的所述空隙空间中的所述导电材料直接抵靠所述沟道材料串的所述沟道材料的侧壁；且

所述最低第一层的所述空隙空间中的所述导电材料直接抵靠所述导体层的所述导体材料的最上部表面。

14.根据权利要求1所述的方法，其包括形成居间材料，所述居间材料横向处于横向紧邻的所述存储器块区之间且纵向沿着横向紧邻的所述存储器块区，所述居间材料包括直接抵靠所述导体层的所述导体材料的绝缘材料；且

其中在成品电路系统构造中，在所述最低第二层上方的所述第二层的所述传导材料在远离所述沟道材料串的方向上横向地伸出到所述居间材料的所述绝缘材料中。