[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法以及显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

衬底，以及依次位于所述衬底上的第一有源层、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、第二有源层和第三绝缘层；

第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极均位于所述第三绝缘层远离所述衬底的一侧；所述第一有源层和所述第二有源层均包括第一源/漏极区和第二源/漏极区；所述第一电极至少与所述第一有源层的所述第一源/漏极区电连接，所述第二电极至少与所述第二有源层的所述第二源/漏极区电连接；所述第一有源层的所述第一源/漏极区和所述第二源/漏极区中的一个，与所述第二有源层的所述第一源/漏极区和所述第二源/漏极区中的一个电连接。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一电极与所述第一有源层的所述第一源/漏极区电连接，所述第二电极与所述第二有源层的所述第二源/漏极区电连接；

所述薄膜晶体管还包括连接部，所述连接部位于所述第三绝缘层远离所述衬底的一侧，所述第一有源层的所述第二源/漏极区与所述第二有源层的所述第一源/漏极区通过所述连接部电连接。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一电极分别与所述第一有源层的所述第一源/漏极区以及所述第二有源层的所述第一源/漏极区电连接；所述第二电极分别与所述第一有源层的所述第二源/漏极区以及所述第二有源层的所述第二源/漏极区电连接。

4.根据权利要求1-3中任一所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一有源层在所述衬底上的垂直投影以及所述第二有源层在所述衬底上的垂直投影，均与所述栅极在所述衬底上的垂直投影相交叠。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二有源层的长度小于所述第一有源层的长度，沿所述第一有源层和所述第二有源层的长度方向，所述第一有源层在所述衬底上的垂直投影，与所述第二有源层在所述衬底上的垂直投影相交叠。

6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一有源层包括主体部和至少一个分支部，所述主体部沿所述第一有源层的长度方向延伸，所述分支部沿所述第一有源层的宽度方向延伸，所述主体部与所述分支部连接；

沿所述第一有源层和所述第二有源层的长度方向，所述主体部在所述衬底上的垂直投影，与所述第二有源层在所述衬底上的垂直投影相交叠；所述第一有源层的至少部分源/漏极区位于所述分支部；所述第二有源层的所述第一源/漏极区和所述第二源/漏极区，分别位于所述第二有源层沿长度方向的两侧。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，沿所述第一有源层的长度方向，所述第一有源层的所述第一源/漏极区位于所述主体部的一侧，所述主体部的另一侧连接所述分支部，且所述第一有源层的至少部分所述第二源/漏极区位于所述分支部。

8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述至少一个分支部包括第一分支部和第二分支部，沿所述第一有源层的长度方向，所述主体部的一侧连接所述第一分支部，另一侧连接所述第二分支部；

所述第一有源层的至少部分所述第一源/漏极区位于所述第一分支部，所述第一有源层的至少部分所述第二源/漏极区位于所述第二分支部。

9.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底的一侧依次形成第一有源层、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、第二有源层和第三绝缘层；

在所述第三绝缘层远离所述衬底的一侧开设过孔，并在所述第三绝缘层远离所述衬底的一侧形成第一电极和第二电极；所述第一有源层和所述第二有源层均包括第一源/漏极区和第二源/漏极区；所述第一电极至少与所述第一有源层的所述第一源/漏极区电连接，所述第二电极至少与所述第二有源层的所述第二源/漏极区电连接；所述第一有源层的至少部分源/漏极区与所述第二有源层的至少部分源/漏极区电连接。

10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-8中任一所述的薄膜晶体管。