[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法以及显示面板在审

专利信息
申请号: 202110221162.8 申请日: 2021-02-26
公开(公告)号: CN113013254A 公开(公告)日: 2021-06-22
发明(设计)人: 刘家昌;袁鑫;曹曙光;范文志;张明 申请(专利权)人: 合肥维信诺科技有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12
代理公司: 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 代理人: 范坤坤
地址: 230000 安徽省合*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 及其 制备 方法 以及 显示 面板
【说明书】:

发明实施例公开了一种薄膜晶体管及其制备方法以及显示面板。薄膜晶体管包括衬底以及依次位于衬底上的第一有源层、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、第二有源层和第三绝缘层;第一电极和第二电极,第一电极和第二电极均位于第三绝缘层远离衬底的一侧;第一有源层和第二有源层均包括第一源/漏极区和第二源/漏极区;第一电极至少与第一有源层的第一源/漏极区电连接,第二电极至少与第二有源层的第二源/漏极区电连接;第一有源层的第一源/漏极区和第二源/漏极区中的一个,与第二有源层的第一源/漏极区和第二源/漏极区中的一个电连接。本发明的技术方案,能够通过减小薄膜晶体管占用的尺寸来提升显示面板的显示分辨率,从而优化显示效果。

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法以及显示面板。

背景技术

随着显示技术的不断发展,人们对于显示装置的显示效果要求越来越高。

显示装置包括显示面板,显示面板包括用于驱动发光器件发光的像素电路,像素电路通常由多个薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)构成。受限于现有制作工艺,薄膜晶体管的尺寸一般很难进一步缩小,导致显示面板的显示分辨率难以提高,影响了显示效果。

发明内容

本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法以及显示面板,以通过减小薄膜晶体管占用的尺寸来提升显示面板的显示分辨率,从而优化显示效果。

第一方面,本发明实施例提供了一种薄膜晶体管,包括:

衬底,以及依次位于所述衬底上的第一有源层、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、第二有源层和第三绝缘层;

第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极均位于所述第三绝缘层远离所述衬底的一侧;所述第一有源层和所述第二有源层均包括第一源/漏极区和第二源/漏极区;所述第一电极至少与所述第一有源层的所述第一源/漏极区电连接,所述第二电极至少与所述第二有源层的所述第二源/漏极区电连接;所述第一有源层的所述第一源/漏极区和所述第二源/漏极区中的一个,与所述第二有源层的所述第一源/漏极区和所述第二源/漏极区中的一个电连接。

可选地,所述第一电极与所述第一有源层的所述第一源/漏极区电连接,所述第二电极与所述第二有源层的所述第二源/漏极区电连接;

所述薄膜晶体管还包括连接部,所述连接部位于所述第三绝缘层远离所述衬底的一侧,所述第一有源层的所述第二源/漏极区与所述第二有源层的所述第一源/漏极区通过所述连接部电连接。

可选地,所述第一电极分别与所述第一有源层的所述第一源/漏极区以及所述第二有源层的所述第一源/漏极区电连接;所述第二电极分别与所述第一有源层的所述第二源/漏极区以及所述第二有源层的所述第二源/漏极区电连接。

可选地,所述第一有源层在所述衬底上的垂直投影以及所述第二有源层在所述衬底上的垂直投影,均与所述栅极在所述衬底上的垂直投影相交叠。

可选地,所述第二有源层的长度小于所述第一有源层的长度,沿所述第一有源层和所述第二有源层的长度方向,所述第一有源层在所述衬底上的垂直投影,与所述第二有源层在所述衬底上的垂直投影相交叠。

可选地,所述第一有源层包括主体部和至少一个分支部,所述主体部沿所述第一有源层的长度方向延伸,所述分支部沿所述第一有源层的宽度方向延伸,所述主体部与所述分支部连接;

沿所述第一有源层和所述第二有源层的长度方向,所述主体部在所述衬底上的垂直投影,与所述第二有源层在所述衬底上的垂直投影相交叠;所述第一有源层的至少部分源/漏极区位于所述分支部;所述第二有源层的所述第一源/漏极区和所述第二源/漏极区,分别位于所述第二有源层沿长度方向的两侧。

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