[发明专利]镀膜装置、镀膜系统及其使用方法在审
申请号: | 202110222582.8 | 申请日: | 2021-02-25 |
公开(公告)号: | CN112853307A | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 翁勇新;张万财 | 申请(专利权)人: | 厦门海辰新能源科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/56 | 分类号: | C23C14/56;C23C14/26;C23C14/08 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 周宇 |
地址: | 361000 福建省厦门市火炬高新区*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 镀膜 装置 系统 及其 使用方法 | ||
1.一种镀膜装置,其特征在于,包括:沿高分子基膜的输送路径依次设置的吹气装置和蒸镀装置;
所述吹气装置被配置成提供气体并使所述气体附着在高分子基膜上,所述蒸镀装置被配置成提供金属原子,以使所述金属原子与所述高分子基膜上的气体发生反应得到金属化合物层。
2.根据权利要求1所述的镀膜装置,其特征在于,所述镀膜装置还包括用于输送所述高分子基膜的第一辊和第二辊;
所述吹气装置位于所述第一辊的下方,且所述吹气装置被配置成位于靠近所述第一辊的高分子基膜的下方;
所述蒸镀装置位于所述第一辊和所述第二辊之间,且所述蒸镀装置被配置成位于所述第一辊和所述第二辊之间的高分子基膜的下方。
3.根据权利要求2所述的镀膜装置,其特征在于,所述第一辊的上周面或下周面与所述第二辊的上周面或下周面齐平,且所述第一辊和所述第二辊被配置成使所述第一辊与所述第二辊之间的高分子基膜水平设置;
所述吹气装置被配置成位于所述第一辊与所述第二辊之间的高分子基膜的靠近所述第一辊的区域的下方。
4.根据权利要求2或3所述的镀膜装置,其特征在于,所述吹气装置包括吹气管道,所述吹气管道设置于所述第一辊的下方,且所述吹气管道的延伸方向与所述第一辊的延伸方向一致,所述吹气管道的靠近所述第一辊的管壁上设置有多个气孔。
5.根据权利要求4所述的镀膜装置,其特征在于,所述气孔的孔径为所述吹气管道的内径的0.2-0.8倍,相邻两个所述气孔的距离为所述吹气管道的内径的0.5-2倍。
6.根据权利要求5所述的镀膜装置,其特征在于,所述吹气管道的轴线与所述第一辊的轴线之间的距离为所述吹气管道的内径的3-6倍。
7.根据权利要求4所述的镀膜装置,其特征在于,所述吹气管道的长度是所述第一辊的长度的0.8-1.2倍。
8.根据权利要求2或3所述的镀膜装置,其特征在于,沿所述高分子基膜的输送路径,所述第二辊的后端设置有主冷辊,所述主冷辊被配置成冷却镀膜后的所述高分子基膜。
9.一种镀膜系统,其特征在于,包括能够抽真空的腔室和设置于所述腔室内的权利要求1-8任一项所述的镀膜装置。
10.一种权利要求9所述的镀膜系统的使用方法,其特征在于,包括:
将所述高分子基膜设置于所述镀膜装置,使所述吹气装置和所述蒸镀装置均位于所述高分子基膜的同一侧;
对所述腔室抽真空,启动所述吹气装置,所述吹气装置向所述高分子基膜吹气,使所述高分子基膜的表面附着气体;启动所述蒸镀装置,所述蒸镀装置向所述高分子基膜提供金属原子,使所述金属原子与所述高分子基膜上的气体发生化学反应,以在所述高分子基膜的表面形成金属化合物层;
可选地,所述腔室内的真空度保持在9.0×10-1-1.0×10-2Pa范围内;所述高分子基膜的幅宽为1.2-1.65m,气体流量为100-1500sccm。
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