[发明专利]镀膜装置、镀膜系统及其使用方法

说明书

本申请提供一种镀膜装置、镀膜系统及其使用方法，属于镀膜技术领域。该镀膜装置包括沿高分子基膜的输送路径依次设置的吹气装置和蒸镀装置。吹气装置被配置成提供气体并使气体附着在高分子基膜上，蒸镀装置被配置成提供金属原子，以使金属原子与高分子基膜上的气体发生反应得到金属化合物层。上述镀膜装置可以使金属化合物层的质地更加均匀，从而提高薄膜的性能。

技术领域

本申请涉及镀膜技术领域，具体而言，涉及一种镀膜装置、镀膜系统及其使用方法。

背景技术

在高分子基膜的表面通过蒸镀的方式形成金属层，从而可以得到导电膜。为了提高薄膜的性能，可以在高分子基膜与金属层之间形成一层金属氧化物层结构，例如：在高分子基膜与金属铝层之间形成一层氧化铝层，可以提高高分子基膜与金属铝层之间的结合力；还可以在导电膜的金属层表面形成一层金属氧化物层结构，例如：在导电膜的金属铝层表面形成一层氧化铝层，增加薄膜的阻隔性能，延长其使用寿命。

但是，现有技术中，氧化铝层通常均匀性较差，会影响薄膜的性能。

发明内容

现有技术中，为了在高分子基膜上形成氧化铝层结构，通常是在蒸发舟内通入氧气，在蒸镀金属铝原子的同时，将蒸镀的金属铝原子与通入的氧气混合，从而反应形成氧化铝层结构。发明人研究发现，由于金属铝原子与氧气混合的过程中会发生化学反应，且该反应在金属铝原子上升至高分子基膜的过程中(金属铝原子和氧气还没有接触高分子基膜就发生氧化反应得到氧化铝)以及上升至高分子基膜以后(金属铝原子和氧气接触高分子基膜以后发生氧化反应得到氧化铝)均在进行，从而使得到的氧化铝层的均匀性较差。

本申请的目的在于提供一种镀膜装置、镀膜系统及其使用方法，可以提高薄膜的均匀性。

第一方面，本申请提供一种镀膜装置，包括：沿高分子基膜的输送路径依次设置的吹气装置和蒸镀装置。吹气装置被配置成提供气体并使气体附着在高分子基膜上，蒸镀装置被配置成提供金属原子，以使金属原子与高分子基膜上的气体发生反应得到金属化合物层。

先在蒸镀装置的前端设置吹气装置，吹气装置的气口朝向高分子基膜，通过吹气装置向高分子基膜的方向吹气，能够使气体均匀地附着在高分子基膜的表面(高分子基膜对气体具有一定的吸附效果)，然后再使蒸镀装置提供的金属原子与高分子基膜上的气体接触并发生反应得到金属化合物层，由于金属化合物层是在气体和金属原子与高分子基膜接触后发生化学反应得到，可以使金属化合物层的质地更加均匀，从而提高薄膜的性能。

在一种可能的实施方式中，蒸镀装置还包括用于输送高分子基膜的第一辊和第二辊。吹气装置位于第一辊的下方，且吹气装置被配置成位于靠近第一辊的高分子基膜的下方。蒸镀装置位于第一辊和第二辊之间，且蒸镀装置被配置成位于第一辊和第二辊之间的高分子基膜的下方。

吹气装置设置在第一辊的下方，其靠近蒸镀装置，吹气装置产生的气体不会马上被负压装置抽走，可以有更多的气体吸附在高分子基膜的表面，且高分子基膜从第一辊与蒸镀装置之间无其他辊结构，可以避免吸附上的气体在输送的过程中流失，然后通过悬浮蒸镀的方式提供金属原子，金属原子上升至高分子基膜上的时候，金属原子会被高分子基膜上的气体吸附并与气体发生化学反应，可以使得到的金属化合物层较为均匀且致密。

在一种可能的实施方式中，第一辊的上周面或下周面与第二辊的上周面或下周面齐平，且第一辊和第二辊被配置成使第一辊与第二辊之间的高分子基膜水平设置。吹气装置被配置成位于第一辊与第二辊之间的高分子基膜的靠近第一辊的区域的下方。

吹气装置设置在水平的高分子基膜的下方，可以使吹气装置提供的气体更加均匀地附着在高分子基膜上，一般情况下，高分子基膜上附着一层氧气，在后续与金属原子发生反应以后，以便后续形成的层结构更加均匀，且厚度较薄，容易控制。

在一种可能的实施方式中，吹气装置包括吹气管道，吹气管道设置于第一辊的下方，且吹气管道的延伸方向与第一辊的延伸方向一致，吹气管道的靠近第一辊的管壁上设置有多个间隔的气孔。