[发明专利]存储器装置及其操作方法

权利要求书

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

单元串，所述单元串包括选择晶体管、多个存储器单元和多个虚设单元，其中，所述多个虚设单元串联联接在所述选择晶体管和所述多个存储器单元之间；

外围电路，所述外围电路被配置为对所述多个虚设单元执行虚设编程操作；以及

控制逻辑，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路，使得在所述虚设编程操作期间，所述多个虚设单元具有不同的阈值电压分布。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑控制所述外围电路向联接到所述多个虚设单元的多条虚设字线中的至少两条虚设字线施加具有不同大小的虚设编程验证电压。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，在对所述多个存储器单元的正常编程操作之前执行所述虚设编程操作。

4.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑包括：

电压电平存储部，所述电压电平存储部存储关于具有不同大小的所述虚设编程验证电压的电平信息；以及

编程操作控制器，所述编程操作控制器产生控制信号，使得在所述虚设编程操作期间，所述外围电路基于关于所述虚设编程验证电压的所述电平信息向所述多条虚设字线施加具有不同大小的所述虚设编程验证电压。

5.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑控制所述外围电路，使得在所述虚设编程操作期间，所述多个虚设单元中的更靠近所述多个存储器单元而不是所述选择晶体管的虚设单元具有更低的阈值电压分布。

6.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑控制所述外围电路，使得向所述多条虚设字线中的更靠近所述多个存储器单元而不是所述选择晶体管的虚设字线施加更低的虚设编程验证电压。

7.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑控制所述外围电路，使得在所述虚设编程操作期间，所述多个虚设单元中的至少两个虚设单元具有相同的阈值电压。

8.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑控制所述外围电路，使得在所述虚设编程操作期间将相同的虚设编程验证电压施加到所述多条虚设字线中的至少两条虚设字线。

9.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑控制所述外围电路，使得在所述正常编程操作期间将相同的电压施加到所述多条虚设字线。

10.一种操作存储器装置的方法，该存储器装置包括选择晶体管、多个存储器单元和多个虚设单元，所述多个虚设单元串联联接在所述选择晶体管和所述多个存储器单元之间，该方法包括以下步骤：

向联接到所述多个虚设单元的多条虚设字线中的选定虚设字线施加虚设单元编程电压；以及

基于所述选定虚设字线与所述多个存储器单元之间的距离向所述选定虚设字线施加不同范围的虚设单元编程验证电压。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，向所述选定虚设字线施加所述虚设单元编程验证电压的步骤包括以下步骤：向更靠近所述多个存储器单元的所述选定虚设字线施加具有更低电压电平的所述虚设单元编程验证电压。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，向所述选定虚设字线施加所述虚设单元编程验证电压的步骤包括以下步骤：向更靠近所述选择晶体管的所述选定虚设字线施加具有更大电压电平的所述虚设单元编程验证电压。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，向所述选定虚设字线施加所述虚设单元编程验证电压的步骤包括以下步骤：向所述选定虚设字线施加与被施加到与所述选定虚设字线相邻的虚设字线的虚设单元编程验证电压相同的电压。