[发明专利]存储器装置及其操作方法

说明书

存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括：单元串、外围电路和控制逻辑。单元串包括选择晶体管和多个存储器单元，并且还包括多个虚设单元，其中，多个虚设单元串联联接在选择晶体管和多个存储器单元之间。外围电路被配置为对多个虚设单元执行虚设编程操作。控制逻辑被配置为控制外围电路，使得在虚设编程操作期间，多个虚设单元具有不同的阈值电压分布。

技术领域

本发明的各种实施方式总体涉及一种电子装置，更具体地，涉及一种半导体装置及其操作方法。

背景技术

存储装置可以响应于诸如计算机或智能电话的主机装置来存储数据。存储装置可以包括存储数据的存储器装置和控制存储器装置的存储器控制器。存储器装置可以分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。

只要供电，易失性存储器装置就可以保留数据，但在断电时，易失性存储器装置可能丢失存储的数据。易失性存储器装置的类型可以包括静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)等。

非易失性存储装置即使在断电时也不会丢失数据。非易失性存储装置的类型可以包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)和闪存存储器。

发明内容

根据一个实施方式，一种存储器装置可以包括：单元串，其包括选择晶体管、多个存储器单元和多个虚设单元，其中，多个虚设单元串联联接在选择晶体管和多个存储器单元之间；外围电路，其被配置为对多个虚设单元执行虚设编程操作；以及控制逻辑，其被配置为控制外围电路，使得在虚设编程操作期间，多个虚设单元具有不同的阈值电压分布。

根据一个实施方式，一种存储器装置可以包括：单元串，其包括选择晶体管、多个存储器单元和多个虚设单元，其中，多个虚设单元串联联接在选择晶体管和多个存储器单元之间；外围电路，其被配置为对多个虚设单元执行虚设编程操作；以及控制逻辑，其被配置为控制外围电路，使得在虚设编程操作期间，更靠近多个存储器单元的虚设单元比更远离多个存储器单元的虚设单元具有更低的阈值电压。

根据一个实施方式，一种操作存储器装置的方法(该存储器装置包括选择晶体管、多个存储器单元和多个虚设单元，多个虚设单元串联联接在选择晶体管和多个存储器单元之间)可以包括以下步骤：向联接到多个虚设单元的多条虚设字线中的选定虚设字线施加虚设单元编程电压；以及基于选定虚设字线与多个存储器单元之间的距离向选定虚设字线施加不同范围的虚设单元编程验证电压。

根据一个实施方式，一种操作存储器装置的方法(该存储器装置包括选择晶体管、多个存储器单元和多个虚设单元，多个虚设单元串联联接在选择晶体管和多个存储器单元之间)可以包括以下步骤：将多个虚设单元编程为具有不同的阈值电压分布；向联接到多个虚设单元的多条虚设字线施加相同的电压；以及对多个存储器单元执行正常编程操作。

附图说明

图1是示出根据本公开的一个实施方式的存储装置的图。

图2是示出图1的存储器装置的结构的图；

图3是示出图2的存储器单元阵列的图；

图4是示出根据本公开的一个实施方式的图3的单元串的图；

图5是示出根据本发明的一个实施方式的在编程操作期间基于字线的位置的单元串的沟道电势的图；

图6是示出根据本发明的一个实施方式的在编程操作期间基于字线的位置的单元串的沟道电势的图；

图7是示出根据本发明的一个实施方式的在编程操作期间基于字线的位置的单元串的沟道电势的图；

图8是示出根据本发明的一个实施方式的在编程操作期间基于字线的位置的单元串的沟道电势的图；

图9是示出根据本公开的一个实施方式的基于虚设字线的位置的虚设单元的阈值电压分布的图；