[发明专利]基片输送系统、真空基片输送模块和基片输送方法在审

专利信息
申请号: 202110224166.1 申请日: 2021-03-01
公开(公告)号: CN113394143A 公开(公告)日: 2021-09-14
发明(设计)人: 网仓纪彦;北正知 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01L21/677 分类号: H01L21/677
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳;徐飞跃
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 输送 系统 真空 模块 方法
【说明书】:

本发明提供一种基片输送系统、真空基片输送模块和基片输送方法。基片输送系统包括基片处理模块、大气基片输送模块、第1真空基片输送模块、第2真空基片输送模块、负载锁定模块和真空基片输送机械臂。第1真空基片输送模块与大气基片输送模块和基片处理模块相邻地配置,具有第1输送空间。第2真空基片输送模块配置在第1真空基片输送模块之上或之下,具有与第1输送空间连通的第2输送空间,且具有俯视时比第1真空基片输送模块小的外形尺寸。负载锁定模块配置在大气基片输送模块与第2真空基片输送模块之间。真空基片输送机械臂配置在第1输送空间内或者第2输送空间内,能够输送基片。根据本发明,能够削减基片处理系统的设置面积。

技术领域

本发明的各种侧面和实施方式涉及基片输送系统、真空基片输送模块和基片输送方法。

背景技术

专利文献1中记载了具有3个用于载置基片输送容器的承载器载置台的半导体制造装置,该基片输送容器保存规定个数的作为处理对象的晶片。专利文献1的半导体制造装置在大气气氛下具有输送晶片的第1输送室。专利文献1的半导体制造装置具有用于将室内切换为大气气氛和真空气氛以使晶片待机的、例如左右并排2个的负载锁定室。专利文献1的半导体制造装置包括:在真空气氛下输送晶片的第2输送室;和用于对被送入的晶片实施工艺处理的例如4个处理模块。此外,专利文献1中记载了设置于第1输送室内的输送装置。专利文献1的输送装置中,基台构成为借助驱动机构而能够沿第1输送室的长度方向移动且可升降,能够在对准室与基片输送容器之间交接晶片。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2015-18875号公报。

发明内容

发明要解决的问题

本发明提供能够削减基片处理系统的设置面积的基片输送系统、真空基片输送模块和基片输送方法。

用于解决问题的技术手段

本发明的一侧面为基片输送系统,其包括基片处理模块、大气基片输送模块、第1真空基片输送模块、第2真空基片输送模块、负载锁定模块和真空基片输送机械臂。第1真空基片输送模块与大气基片输送模块和基片处理模块相邻地配置,具有第1输送空间。第2真空基片输送模块配置在第1真空基片输送模块之上或之下,具有与第1输送空间连通的第2输送空间,且具有俯视时比第1真空基片输送模块小的外形尺寸。负载锁定模块配置于大气基片输送模块与第2真空基片输送模块之间。真空基片输送机械臂配置在第1输送空间内或者第2输送空间内,构成为能够在第1输送空间与基片处理模块之间在第1高度输送基片。此外,真空基片输送机械臂构成为能够在第1输送空间与第2输送空间之间输送基片。此外,真空基片输送机械臂构成为能够在第2输送空间与负载锁定模块之间在与第1高度不同的第2高度输送基片。

发明效果

依照本发明的各种侧面和实施方式,能够削减基片处理系统的设置面积。

附图说明

图1是表示一实施方式中的基片处理系统的一个例子的俯视图。

图2是表示图1中的基片处理系统的A-A截面的一个例子的图。

图3是表示图2中的基片处理系统的B-B截面的一个例子的图

图4是表示图2中的处理系统的C-C截面的一个例子的图。

图5是表示基片输送方法的一个例子的流程图。

图6是表示输送基片时的基片处理系统的一个例子的截面图。

图7是表示输送基片时的基片处理系统的一个例子的截面图。

图8是表示输送基片时的基片处理系统的一个例子的截面图。

图9是表示输送基片时的基片处理系统的一个例子的截面图。

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