[发明专利]一种斜腔芯片结构有效
| 申请号： | 202110226780.1 | 申请日： | 2021-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN113161463B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 单静春;李中坤;王定理;李明;汤宝;黄晓东;杨帆 | 申请（专利权）人： | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 邵磊;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 结构 | ||
1.一种斜腔芯片结构，其特征在于，所述斜腔芯片结构包括：光源和发光区；其中，
所述光源，用于产生光信号；
所述发光区的出射端面镀有介质膜，所述介质膜对所述光信号中的第一子光信号的第一反射率与所述光信号中的第二子光信号的第二反射率不同，所述第一子光信号的出射功率与所述第二子光信号的出射功率之差小于第一阈值；
其中，所述介质膜包括至少两种不同的源材料；
其中，所述源材料的厚度基于下述中的至少一种因素确定；
所述光信号的中心波长、所述第一反射率、所述第二反射率、所述源材料的折射率和所述光信号入射至所述介质膜的入射角；
其中，所述源材料的占比基于下述中的至少一种因素确定：
所述光信号的中心波长、所述第一反射率、所述第二反射率、所述源材料的折射率和所述光信号入射至所述介质膜的入射角；
其中，由于介质膜的不同源材料的占比不同以及厚度不同，使得介质膜对TE模和TM模的反射率不同；通过介质膜对TE模和TM模的反射率不同，能够调整TE模和TM模在发光区的出射端面的出射光功率。
2.根据权利要求1所述的斜腔芯片结构，其特征在于，所述第一反射率和所述第二反射率的大小关系，与入射至所述介质膜之前的所述第一子光信号的第一功率和入射至所述介质膜之前的所述第二子光信号的第二功率相关。
3.根据权利要求2所述的斜腔芯片结构，其特征在于，
若所述第一功率大于所述第二功率，则所述第一反射率大于所述第二反射率；
若所述第一功率小于所述第二功率，则所述第一反射率小于所述第二反射率。
4.根据权利要求1所述的斜腔芯片结构，其特征在于，所述介质膜对所述光信号的总反射率小于或等于第一值。
5.根据权利要求4所述的斜腔芯片结构，其特征在于，所述第一值为0.1％。
6.根据权利要求1所述的斜腔芯片结构，其特征在于，所述光源的光波导方向与所述发光区的出射端面的法线方向具有第一夹角。
7.根据权利要求6所述的斜腔芯片结构，其特征在于，所述第一夹角的范围为3°至18°。
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