[发明专利]一种斜腔芯片结构

说明书

本申请实施例提供一种斜腔芯片结构，所述斜腔芯片结构包括：光源和发光区；其中，所述光源，用于产生光信号；所述发光区的出射端面镀有介质膜，所述介质膜对所述光信号中的第一子光信号的第一反射率与所述光信号中的第二子光信号的第二反射率不同，所述第一子光信号的出射功率与所述第二子光信号的出射功率之差小于第一阈值。本申请实施例提供的斜腔芯片结构能够降低经所述斜腔芯片结构出射的光信号的偏振度。

技术领域

本申请涉及光通信技术领域，尤其涉及一种斜腔芯片结构。

背景技术

随着光纤陀螺、光学层析成像系统、波分复用系统、光学相干层析成像等光纤通讯和医疗设备的迅速发展，超辐射发光二极管(Superluminescent Light Emitting Diodes，SLD)因其宽光谱、高功率、低抖动、弱时间相干性、高光纤耦合效率等优良特性，在光纤通信领域展示出了广阔的应用前景。光纤陀螺零漂、噪声是衡量陀螺性能好坏的重要指标参数，与光源的偏振度(PER)有着直接关系；而PER由光源的TE模和TM模的光功率大小决定的。其中，TE模为电矢量震动方向平行于芯片表面的光信号，TM模为电矢量震动方向垂直于芯片表面的光信号。由理论分析和实验验证可知，光源出射光的偏振度PER越小，越有利于提高光纤陀螺零偏稳定性，并且能抑制光源引起的偏振噪声。因此，如何降低光源产生的光信号的偏振度是一致追求的目标。

发明内容

本申请实施例提供一种用于斜腔芯片结构，能够降低经所述斜腔芯片结构出射的光信号的偏振度。

本申请实施例的技术方案是这样实现的：

本申请实施例提供一种斜腔芯片结构，所述斜腔芯片结构包括：光源和发光区；其中，

所述光源，用于产生光信号；

所述发光区的出射端面镀有介质膜，所述介质膜对所述光信号中的第一子光信号的第一反射率与所述光信号中的第二子光信号的第二反射率不同，所述第一子光信号的出射功率与所述第二子光信号的出射功率之差小于第一阈值。

在一些可选实施例中，所述介质膜包括至少两种不同的源材料。

在一些可选实施例中，所述源材料的厚度基于下述中的至少一种因素确定：

所述光信号的中心波长、所述第一反射率、所述第二反射率、所述源材料的折射率和所述光信号入射至所述介质膜的入射角。

在一些可选实施例中，所述源材料的占比基于下述中的至少一种因素确定：

所述光信号的中心波长、所述第一反射率、所述第二反射率、所述源材料的折射率和所述光信号入射至所述介质膜的入射角。

在一些可选实施例中，所述第一反射率和所述第二反射率的大小关系，与入射至所述介质膜之前的所述第一子光信号的第一功率和入射至所述介质膜之前的所述第二子光信号的第二功率相关。

在一些可选实施例中，若所述第一功率大于所述第二功率，则所述第一反射率大于所述第二反射率；

若所述第一功率小于所述第二功率，则所述第一反射率小于所述第二反射率。

在一些可选实施例中，所述介质膜对所述光信号的总反射率小于或等于第一值。

在一些可选实施例中，所述第一值为0.1％。

在一些可选实施例中，所述光源的光波导方向与所述发光区的出射端面的法线方向具有第一夹角。

在一些可选实施例中，所述第一夹角的范围为3°至18°。