[发明专利]一种用于LED芯片的巨量转移方法

权利要求书

1.一种用于LED芯片的巨量转移方法，其特征在于，包括：

提供第一衬底，在所述第一衬底上设置LED芯片，使所述LED芯片的电极背离所述第一衬底设置；

在所述第一衬底背向所述LED芯片的一面刻蚀形成LED微结构，所述LED微结构包括:在所述第一衬底背离所述LED芯片的表面上刻蚀出蚀刻槽，所述蚀刻槽的侧壁上凸出形成支撑部，所述支撑部背离所述蚀刻槽的侧壁的一端连接所述LED芯片；

提供一驱动基板，将蚀刻完成的所述LED芯片与所述驱动基板对位，所述LED芯片的电极朝向所述驱动基板；

将所述LED微结构断裂；

所述LED芯片转移至所述驱动基板。

2.根据权利要求1所述的用于LED芯片的巨量转移方法，其特征在于，所述支撑部上连接所述LED芯片的一端蚀刻形成圆弧面，所述圆弧面的圆心位于所述圆弧面朝向所述蚀刻槽中心的一侧。

3.根据权利要求2所述的用于LED芯片的巨量转移方法，其特征在于，所述支撑部包括：

支撑桥部，所述支撑桥部凸出于所述蚀刻槽的侧壁并朝向所述蚀刻槽的中心延伸，所述支撑桥部连接于所述LED芯片的边缘；

支撑岛部，所述支撑岛部在第一衬底上环绕于多个所述蚀刻槽，并连接于多个所述支撑桥部。

4.根据权利要求3所述的用于LED芯片的巨量转移方法，其特征在于，

所述提供一驱动基板的步骤之前，还包括：

提供第二临时衬底，使所述LED微结构设置在所述第二临时衬底上；

所述将所述LED微结构断裂的步骤为：

所述LED微结构断裂，所述LED芯片脱离所述第二临时衬底。

5.根据权利要求4所述的用于LED芯片的巨量转移方法，其特征在于，所述LED微结构设置在所述第二临时衬底上的步骤具体为：

所述第二临时衬底朝向所述LED微结构的一侧设置第二贴合胶，使所述LED微结构粘接在所述第二临时衬底上。

6.根据权利要求1所述的用于LED芯片的巨量转移方法，其特征在于，所述提供第一衬底的步骤之后，还包括步骤：

提供第一临时衬底，使所述LED微结构的所述电极设置在所述第一临时衬底上；

所述提供一驱动基板的步骤之前，还包括步骤：

将所述第一临时衬底剥离所述LED芯片。

7.根据权利要求6所述的用于LED芯片的巨量转移方法，其特征在于，所述LED微结构的所述电极设置在所述第一临时衬底上的步骤具体为：

所述第一临时衬底朝向所述LED芯片电极的一侧设置第一贴合胶，使所述LED芯片电极粘接在所述第一临时衬底上。

8.根据权利要求7所述的用于LED芯片的巨量转移方法，其特征在于，所述LED芯片转移至所述驱动基板的步骤中，所述LED芯片通过激光法转移至所述驱动基板上。

9.根据权利要求3所述的用于LED芯片的巨量转移方法，其特征在于，所述LED芯片转移至所述驱动基板的步骤中，所述LED芯片通过stamp法转移至所述驱动基板上。