[发明专利]一种用于LED芯片的巨量转移方法

说明书

本发明公开了一种用于LED芯片的巨量转移方法，包括：提供第一衬底，在所述第一衬底上设置LED芯片，使所述LED芯片的电极背离所述第一衬底设置；在所述第一衬底背向所述LED芯片的一面刻蚀形成LED微结构；提供一驱动基板，将蚀刻完成的所述LED芯片与所述驱动基板对位，所述LED芯片的电极朝向所述驱动基板；将所述LED微结构断裂；所述LED芯片转移至所述驱动基板。解决了现有技术中LED微结构巨量转移的良率低和效率低的问题。

技术领域

本发明涉及LED芯片转移技术领域，尤其涉及的是一种用于LED芯片的巨量转移方法。

背景技术

LED是新一代显示技术，比现有的OLED亮度更高、发光效率更好，功耗更低，需求量越来越多。

LED技术，即LED微缩化和矩阵化技术。指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列，如LED显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮，可看成是户外LED显示屏的微缩版，将像素点距离从毫米级降低至微米级。

LED的优异性能众所周知，但其也存在一个卡脖子的难题，那就是LED的核心技术是纳米级LED的转运，即巨量转移。因为LED微器件必须先在蓝宝石类的基板上通过分子束外延的生长出来，通过半导体制程做成芯片。但若使LED芯片做成显示器，必须要LED芯片转移到驱动基板上。

目前有两大方向转移方式：第一种是使用半导体制程整合技术,将LED芯片直接键结于基板上,即wafer(外延片)与wafer之间的bonding(键合)技术，此种方式需要两套半导体衬底,成本高昂,且只适用于4英寸及以下的小尺寸基板；第二大方向是使用pick-and-place(拾取放置转移)技术，将LED阵列上的像素分别转移到极板上，如静电法，印章法，滚轮法等，技术均还不成熟，良率低。

如何使LED芯片拥有特殊的结构和工艺，来提高巨量转移的良率和效率，是目前大家在钻研攻克的问题点。因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种用于LED芯片的巨量转移方法，解决了现有技术中提高LED微结构巨量转移的良率低和效率低的问题。

本发明的技术方案如下：

一种用于LED芯片的巨量转移方法，包括：

提供第一衬底，在所述第一衬底上设置LED芯片，使所述LED芯片的电极背离所述第一衬底设置；

在所述第一衬底背向所述LED芯片的一面刻蚀形成LED微结构；

提供一驱动基板，将蚀刻完成的所述LED芯片与所述驱动基板对位，所述LED芯片的电极朝向所述驱动基板；

将所述LED微结构断裂；

所述LED芯片转移至所述驱动基板。

进一步，所述在所述第一衬底背向所述LED芯片的一面刻蚀形成LED微结构的步骤中，所述LED微结构包括：

在所述第一衬底背离所述LED芯片的表面上刻蚀出的蚀刻槽，所述蚀刻槽的侧壁上凸出形成支撑部，所述支撑部背离所述蚀刻槽的侧壁的一端连接所述LED芯片。

进一步，所述支撑部上连接所述LED芯片的一端蚀刻形成圆弧面，所述圆弧面的圆心位于所述圆弧面朝向所述蚀刻槽中心的一侧。

进一步，所述支撑部包括：

支撑桥部，所述支撑桥部凸出于所述蚀刻槽的侧壁并朝向所述蚀刻槽的中心延伸，所述支撑桥部连接于所述LED芯片的边缘；

支撑岛部，所述支撑岛部在第一衬底上环绕于多个所述蚀刻槽，并连接于多个所述支撑桥部。

进一步，所述提供一驱动基板的步骤之前，还包括：