[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110226977.5 | 申请日： | 2021-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN113314506A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 余振华;苏安治;叶德强;黄立贤;叶名世 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
管芯，被密封剂密封，所述管芯包括焊盘；
连接件，电连接到所述焊盘；以及
第一通孔，与所述连接件物理接触，所述第一通孔在第一方向上与所述连接件横向偏移第一非零距离，所述第一通孔具有锥形侧壁。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：在所述第一通孔上方并与所述第一通孔物理接触的第二通孔，所述第二通孔在第二方向上与所述第一通孔横向偏移第二非零距离。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二方向与所述第一方向相同。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二方向与所述第一方向相反。
5.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：在所述第二通孔上方并与所述第二通孔物理接触的第三通孔，所述第三通孔在与所述第二方向相反的第三方向上与所述第二通孔横向偏移第三非零距离。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述第一通孔正上方并与所述第一通孔物理接触的第二通孔。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括在所述第二通孔正上方并与所述第二通孔物理接触的第三通孔。
8.一种半导体器件，包括：
管芯，嵌入在密封剂中，所述管芯包括第一焊盘、第二焊盘和第三焊盘；
第一连接件，物理连接到所述第一焊盘；
第二连接件，物理连接到所述第二焊盘；
第三连接件，物理连接到所述第三焊盘；以及
再分布结构，物理连接到所述第一连接件、所述第二连接件和所述第三连接件，其中，所述再分布结构的第一通孔物理连接到所述第一连接件的顶面，所述第一通孔在第一方向上横向延伸超出所述第一连接件的边缘，所述第一通孔具有锥形侧壁。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述再分布结构的第二通孔在所述第一通孔上方并物理连接到所述第一通孔，所述第二通孔的垂直轴线在第二方向上与所述第一通孔的垂直轴线横向间隔开，所述第一通孔的所述垂直轴线和所述第二通孔的所述垂直轴线垂直于所述第一连接件的所述顶面。
10.一种形成半导体器件的方法，包括：
将管芯附着到载体衬底，所述管芯包括连接件；
在所述载体衬底上方并且沿着所述管芯的侧壁形成密封剂；以及
在所述管芯和所述密封剂上方形成再分布结构，其中，形成所述再分布结构包括：
形成第一再分布层，所述第一再分布层的第一通孔与所述连接件物理接触，所述第一通孔在第一方向上与所述连接件横向偏移第一非零距离，所述第一通孔具有锥形侧壁。
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