[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

提供用于半导体器件的再分布结构及其形成方法。该半导体器件包括被密封剂密封的管芯，该管芯包括焊盘，以及电连接到该焊盘的连接件。该半导体器件还包括与连接件物理接触的第一通孔。该第一通孔在第一方向上与连接件横向偏移第一非零距离。该第一通孔具有锥形侧壁。

技术领域

本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

背景技术

由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断提高，半导体工业经历了快速的增长。在大多数情况下，迭代减小最小部件尺寸可提高集成密度，这允许将更多组件集成到给定区域中。随着对缩小电子器件的需求的增长，对更小且更具创造性的半导体管芯封装技术的需求也随之出现。这种封装系统的实例是叠层封装(PoP)技术。在PoP器件中，顶部半导体封装件堆叠在底部半导体封装件的顶部，以提供高集成水平的和组件密度。PoP技术通常能够在印刷电路板(PCB)上产生功能增强且占位面积小的半导体器件。

发明内容

本申请的一些实施例提供了一种半导体器件，包括：管芯，被密封剂密封，所述管芯包括焊盘；连接件，电连接到所述焊盘；以及第一通孔，与所述连接件物理接触，所述第一通孔在第一方向上与所述连接件横向偏移第一非零距离，所述第一通孔具有锥形侧壁。

本申请的另一些实施例提供了一种半导体器件，包括：管芯，嵌入在密封剂中，所述管芯包括第一焊盘、第二焊盘和第三焊盘；第一连接件，物理连接到所述第一焊盘；第二连接件，物理连接到所述第二焊盘；第三连接件，物理连接到所述第三焊盘；以及再分布结构，物理连接到所述第一连接件、所述第二连接件和所述第三连接件，其中，所述再分布结构的第一通孔物理连接到所述第一连接件的顶面，所述第一通孔在第一方向上横向延伸超出所述第一连接件的边缘，所述第一通孔具有锥形侧壁。

本申请的又一些实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：将管芯附着到载体衬底，所述管芯包括连接件；在所述载体衬底上方并且沿着所述管芯的侧壁形成密封剂；以及在所述管芯和所述密封剂上方形成再分布结构，其中，形成所述再分布结构包括：形成第一再分布层，所述第一再分布层的第一通孔与所述连接件物理接触，所述第一通孔在第一方向上与所述连接件横向偏移第一非零距离，所述第一通孔具有锥形侧壁。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出根据一些实施例的集成电路管芯的截面图。

图2示出根据一些实施例的集成电路管芯的截面图。

图3至图12示出根据一些实施例的在用于形成封装组件的过程期间的中间步骤的俯视图和截面图。

图13和图14示出根据一些实施例的器件堆叠件的形成和实现方式的截面图。

图15至图18示出根据一些实施例的封装组件的俯视图和截面图。

图19示出根据一些实施例的器件堆叠件的截面图。

图20至图23示出根据一些实施例的封装组件的俯视图和截面图。

图24示出根据一些实施例的器件堆叠件的截面图。

图25至图28示出根据一些实施例的封装组件的俯视图和截面图。

图29示出根据一些实施例的器件堆叠件的截面图。

图30示出根据一些实施例的集成电路管芯的俯视图。

图31示出根据一些实施例的集成电路管芯的俯视图。

图32至图35示出根据一些实施例的封装组件的俯视图和截面图。