[发明专利]一种动态可重构的RAM读写方式在审
申请号: | 202110228889.9 | 申请日: | 2021-03-02 |
公开(公告)号: | CN112802513A | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 朱珂;王李伟;陶常勇;汪欣;王元磊;王盼;王永胜;李晓颖;刘长江;李文强 | 申请(专利权)人: | 井芯微电子技术(天津)有限公司 |
主分类号: | G11C7/22 | 分类号: | G11C7/22 |
代理公司: | 成都其高专利代理事务所(特殊普通合伙) 51244 | 代理人: | 廖曾 |
地址: | 300000 天津市经济技术开发区滨海*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 动态 可重构 ram 读写 方式 | ||
1.一种动态可重构的RAM读写方式,其特征在于,在原始的顺序读写RAM的基础上,增加按奇偶元素分别存储两块RAM的读写方式、按上下三角元素分别存储两块RAM的读写方式、按奇偶行分别存储两块RAM的读写方式以及按行顺序存储到RAM的读写方式。
2.根据权利要求1所述的一种动态可重构的RAM读写方式,其特征在于,在所述按行顺序存储到RAM模式中,一个矩阵按行存储完整的存入一块RAM中,此时矩阵与RAM的地址映射关系按照公式:Addr = base_addr + i*J + j,进行,式中I、J为数据矩阵的行列数量,i、 j分别为矩阵中数据的行列标号。
3.根据权利要求1所述的一种动态可重构的RAM读写方式,其特征在于,在所述奇偶元素分别存储两块RAM模式中,一个矩阵相邻元素以奇偶方式存储到两块RAM中时,矩阵与RAM的地址映射关系按照公式:
当i+j为偶数时,ram1.addr = base_addr + (i/2)*(J/2) + j/2;
当i+j为奇数时,ram2.addr = base_addr + (i/2)*(J/2) + j/2,进行,式中I、J为数据矩阵的行列数量,i、 j分别为矩阵中数据的行列标号。
4.根据权利要求1所述的一种动态可重构的RAM读写方式,其特征在于,在所述上下三角分别存储模式中,一个矩阵以两个三角阵存储到两块RAM中时,矩阵与RAM的地址映射关系按照如下公式进行:
当ij时, ram1.addr = base_addr + (J+J-i-1)*(i-1)/2 + j-I;
当ij时, ram2.addr = base_addr + (J+J-j-1)*(j-1)/2 + i-I,式中I、J为数据矩阵的行列数量,i、 j分别为矩阵中数据的行列标号。
5.根据权利要求1所述的一种动态可重构的RAM读写方式,其特征在于,在所述按奇偶行分别存储两块RAM模式中,矩阵与RAM地址的映射关系按照以下公式进行:
当i/2的余数为0时,ram1.addr = base_addr + J*i/2 + j;
当i/2的余数为1时,ram2.addr = base_addr + J*i/2 + j,式中I、J为数据矩阵的行列数量,i、 j分别为矩阵中数据的行列标号。
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