[发明专利]一种动态可重构的RAM读写方式在审

专利信息
申请号: 202110228889.9 申请日: 2021-03-02
公开(公告)号: CN112802513A 公开(公告)日: 2021-05-14
发明(设计)人: 朱珂;王李伟;陶常勇;汪欣;王元磊;王盼;王永胜;李晓颖;刘长江;李文强 申请(专利权)人: 井芯微电子技术(天津)有限公司
主分类号: G11C7/22 分类号: G11C7/22
代理公司: 成都其高专利代理事务所(特殊普通合伙) 51244 代理人: 廖曾
地址: 300000 天津市经济技术开发区滨海*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 动态 可重构 ram 读写 方式
【权利要求书】:

1.一种动态可重构的RAM读写方式,其特征在于,在原始的顺序读写RAM的基础上,增加按奇偶元素分别存储两块RAM的读写方式、按上下三角元素分别存储两块RAM的读写方式、按奇偶行分别存储两块RAM的读写方式以及按行顺序存储到RAM的读写方式。

2.根据权利要求1所述的一种动态可重构的RAM读写方式,其特征在于,在所述按行顺序存储到RAM模式中,一个矩阵按行存储完整的存入一块RAM中,此时矩阵与RAM的地址映射关系按照公式:Addr = base_addr + i*J + j,进行,式中I、J为数据矩阵的行列数量,i、 j分别为矩阵中数据的行列标号。

3.根据权利要求1所述的一种动态可重构的RAM读写方式,其特征在于,在所述奇偶元素分别存储两块RAM模式中,一个矩阵相邻元素以奇偶方式存储到两块RAM中时,矩阵与RAM的地址映射关系按照公式:

当i+j为偶数时,ram1.addr = base_addr + (i/2)*(J/2) + j/2;

当i+j为奇数时,ram2.addr = base_addr + (i/2)*(J/2) + j/2,进行,式中I、J为数据矩阵的行列数量,i、 j分别为矩阵中数据的行列标号。

4.根据权利要求1所述的一种动态可重构的RAM读写方式,其特征在于,在所述上下三角分别存储模式中,一个矩阵以两个三角阵存储到两块RAM中时,矩阵与RAM的地址映射关系按照如下公式进行:

当ij时, ram1.addr = base_addr + (J+J-i-1)*(i-1)/2 + j-I;

当ij时, ram2.addr = base_addr + (J+J-j-1)*(j-1)/2 + i-I,式中I、J为数据矩阵的行列数量,i、 j分别为矩阵中数据的行列标号。

5.根据权利要求1所述的一种动态可重构的RAM读写方式,其特征在于,在所述按奇偶行分别存储两块RAM模式中,矩阵与RAM地址的映射关系按照以下公式进行:

当i/2的余数为0时,ram1.addr = base_addr + J*i/2 + j;

当i/2的余数为1时,ram2.addr = base_addr + J*i/2 + j,式中I、J为数据矩阵的行列数量,i、 j分别为矩阵中数据的行列标号。

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