[发明专利]导电结构的制作方法、导电结构及机台设备

权利要求书

1.一种导电结构的制作方法，其特征在于，包括：

在晶圆上待填充的导孔和/或沟槽内表面沉积籽晶层；

将所述晶圆抬升到位，采用顶针将所述晶圆置于热源处，所述顶针支撑所述晶圆，使得所述晶圆与承载台分离；

对所述晶圆的上表面和下表面进行加热，使所述籽晶层回流，以去除所述待填充的导孔和/或沟槽豁口处及侧壁的悬垂凸起结构；

将所述晶圆下降到位，降低所述顶针高度，使所述承载台与所述晶圆的背面相接触，对所述晶圆进行冷却，使所述籽晶层固化；

其中，采用双热源分别从所述晶圆的上表面和下表面为所述晶圆进行非接触式加热；

所述热源包括加热灯、等离子发生器以及通气管路中的至少两种，所述等离子发生器和/或所述通气管路与所述晶圆的表面间具有预设的夹角，使等离子体和/或气体的气流以预设的角度与所述晶圆表面相接触。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括在所述籽晶层固化后在所述籽晶层表面沉积金属，以填充所述待填充的导孔和/或沟槽，形成导电结构。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在对晶圆进行加热时，承载所述晶圆的顶针带动所述晶圆旋转。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述晶圆的旋转速度为3-6r/min。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述通气管路向所述晶圆所在腔室中通入具有一定温度的气体从而对所述晶圆进行加热。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述气体包括氮气、氦气、氩气中的至少一种。

7.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述籽晶层和/或所述金属包括金、银、铜中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对晶圆进行加热的加热温度包括200-400℃。

9.一种导电结构，其特征在于，所述导电结构采用如权利要求1至8中任一项所述的方法制作而成。

10.一种机台设备，其特征在于，所述机台设备用于执行如权利要求1至8中任一项所述的方法。