[发明专利]导电结构的制作方法、导电结构及机台设备

说明书

本申请公开了一种导电结构的制作方法、导电结构及机台设备，该导电结构的制作方法包括：在晶圆上待填充的导孔和/或沟槽内表面沉积籽晶层；对所述晶圆的上表面和下表面进行加热，使所述籽晶层回流，以去除所述待填充的导孔和/或沟槽豁口处及侧壁的悬垂凸起结构。该导电结构采用双热源从晶圆的上下两侧进行加热，使晶圆的升温更加均匀和快速，减少豁口处及侧壁的悬垂凸起结构，拓展了籽晶层回流的工艺窗口，减少晶圆因温升变化产生的应力，采用双热源从晶圆的上下两侧进行加热还可以显著减少籽晶层回流的工艺耗时，提高生产效率。

技术领域

本发明涉及半导体及集成电路制造领域，更具体地，涉及一种导电结构的制作方法、导电结构及机台设备。

背景技术

随着集成度的逐步提高，半导体元器件尺寸不断缩小，在高效率、高密度集成电路中的晶体管数量已经上升到几千万上亿个。这些数量庞大的有源元件的信号集成需要多层高密度金属连线，然而这些金属连线带来的电阻和寄生电容已经逐步成为限制这种高密度集成电路速度的主要因素。基于此问题的推动，半导体工业从原来的金属铝连线工艺发展成金属铜连线。金属铜减少了金属连线层间的电阻，同时增强了电路的稳定性。

然而，随着半导体器件尺寸的减小，其晶体管尺寸也逐步减小，晶体管的信道长度，相邻晶体管之间的节距也减少，从而限制了导电接触组件的尺寸，提供电连接至晶体管的这些组件，例如接触导孔等，它们可安装在相邻晶体管之间的可用实际面积内。由于这些组件的横截面区域相应地减少，其导电接触组件的设计和性能结构逐步成为晶体管设计中的重大问题，接触导孔的横截面区域，以及它们所包含的材料特性，对于电路组件的有效电阻及整体效能有着显著影响。

因此，如何保证电路组件稳定高效的制作是现阶段亟需解决的问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种导电结构的制作方法及导电结构，以稳定高效的完成半导体中导电结构的制作，该导电结构采用双热源从晶圆的上下两侧进行加热，使晶圆的升温更加均匀和快速，减少豁口处及侧壁的悬垂凸起结构，拓展了籽晶层回流的工艺窗口，减少晶圆因温升变化产生的应力，采用双热源从晶圆的上下两侧进行加热还可以显著减少籽晶层回流的工艺耗时，缓解整个制造流程中的瓶颈，提高生产效率，提升工艺节拍。

根据本发明的一方面，提供一种导电结构的制作方法，其特征在于，包括：

在晶圆上待填充的导孔和/或沟槽内表面沉积籽晶层；

对所述晶圆的上表面和下表面进行加热，使所述籽晶层回流，以去除所述待填充的导孔和/或沟槽豁口处及侧壁的悬垂凸起结构。

优选地，在对所述晶圆的上表面和下表面进行加热，使所述籽晶层回流后还包括对所述晶圆进行冷却，使所述籽晶层固化。

优选地，还包括在所述籽晶层固化后在所述籽晶层表面沉积金属，以填充所述待填充的导孔和/或沟槽，形成导电结构。

优选地，在沉积籽晶层和对所述晶圆的上表面和下表面进行加热之间，还包括：

采用顶针将所述晶圆置于热源处，其中，所述顶针支撑所述晶圆，使得所述晶圆与所述承载台分离。

优选地，在对晶圆进行加热时，承载所述顶针带动所述晶圆旋转。

优选地，所述晶圆的旋转速度为3-6r/min。

优选地，所述热源包括加热灯、等离子发生器以及通气管路中的至少两种，其中，所述通气管路向所述晶圆所在腔室中通入具有一定温度的气体从而对所述晶圆进行加热。

优选地，所述气体包括氮气、氦气、氩气中的至少一种。

优选地，所述等离子发生器和/或所述通气管路与所述晶圆的表面间具有预设的夹角，使所述等离子体和/或所述气体的气流以预设的角度与所述晶圆表面相接触。