[发明专利]一种外延设备的气体供应方法及装置有效
申请号: | 202110231567.X | 申请日: | 2021-03-02 |
公开(公告)号: | CN113026098B | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 廖秋林;秦月明;赵肃 | 申请(专利权)人: | 桂林雷光科技有限公司 |
主分类号: | C30B25/14 | 分类号: | C30B25/14 |
代理公司: | 桂林文必达专利代理事务所(特殊普通合伙) 45134 | 代理人: | 张学平 |
地址: | 541004 广西壮族自治区桂林市*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 外延 设备 气体 供应 方法 装置 | ||
本发明公开了一种外延设备的气体供应方法及装置,支撑组件的壳体、底座和控制盒连接,第一加热组件的多个第一安装板设置在壳体的第一安装槽内,第一支撑板和多个第一安装板连接,多个第一加热电阻分别设置在多个第一安装板内,第二加热组件的多个第二安装板设置在壳体的第二安装槽内,第二支撑板和多个第二安装板连接,多个第二加热电阻分别设置在多个第二安装板内。交叉设置的第一安装板和第二安装板可以形成气体流通的弯曲回路,极大地增加了加热器件和气体的接触面积,从而可以更加高效地进行加热,通过输出组件可以将气体排出,从而可以方便地对反应气进行加热,提高加热效率。
技术领域
本发明涉及外延设备领域,尤其涉及一种外延设备的气体供应方法及装置。
背景技术
外延工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料,外延层可以是同质外延层(Si衬底上生长Si外延层),也可以是异质外延层(Si衬底上生长SiGe外延层或Si衬底上生长上SiC外延层);同样实现外延生长也有很多方法,包括分子束外延,超高真空化学气相沉积,常压及减压外延等等。
在现有氢化物气相外延机台中,气体进口到喷淋头是通过直管连接。气体从进口到喷淋头所经历的距离较短,加热炉无法及时将气体加热到足够高的温度,因此气体从喷淋头喷出时的温度偏低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种外延设备的气体供应方法及装置,旨在解决了现有设备加热效果不好,使得温度难以达到预定值的问题。
为实现上述目的,第一方面,本发明提供了一种外延设备的气体供应装置,包括支撑组件、第一加热组件、第二加热组件和输出组件,所述支撑组件包括壳体、底座和控制盒,所述壳体具有进气口、排气口、反应腔,第一安装槽和第二安装槽,所述进气口和所述排气口位于所述反应腔的两侧,所述第一安装槽和所述第二安装槽位于所述反应腔的两侧,所述底座与所述壳体固定连接,并位于所述壳体的一侧,所述控制盒与所述底座固定连接,并位于所述底座的一侧,所述第一加热组件包括第一支撑板、多个第一安装板和多个第一加热电阻,多个所述第一安装板与所述壳体滑动连接,并位于所述第一安装槽内,所述第一支撑板与多个所述第一安装板固定连接,并位于所述第一安装板的一侧,多个所述第一加热电阻分别与多个所述第一安装板固定连接,并位于所述第一安装板内,所述第二加热组件包括第二支撑板、多个第二安装板和多个第二加热电阻,多个所述第二安装板与所述壳体滑动连接,并位于所述第二安装槽内,且与所述第一安装板交叉设置,所述第二支撑板与多个所述第二安装板固定连接,并位于所述第二安装板的一侧,多个所述第二加热电阻分别与多个所述第二安装板固定连接,并位于所述第二安装板内,所述输出组件与所述壳体连通,并位于所述排气口一侧。
其中,所述支撑组件还包括隔热层,所述隔热层与所述壳体固定连接,并位于所述壳体的两侧。
其中,所述支撑组件还包括温度传感器,所述温度传感器与所述壳体固定连接,并位于所述壳体靠近所述排气口处,且与所述控制盒电连接。
其中,第一加热组件还包括多个第一延长片,多个所述第一延长片分别与多个所述第一安装板固定连接,并位于所述第一安装板的一侧,第二加热组件还包括多个第二延长片,多个所述第二延长片分别与多个所述第二安装板固定连接,并位于所述第二安装板的二侧。
其中,所述输出组件包括连接管、叶片、刮片和转杆,所述转杆与所述连接管转动连接,并位于所述连接管内,所述叶片与所述转杆固定连接,并位于所述转杆的一侧,所述刮片与所述叶片固定连接,接触所述连接管。
其中,所述输出组件还包括电机和联轴器,所述联轴器与所述转杆固定连接,并位于所述连接管的一侧,所述电机的输出轴与所述联轴器固定连接,并位于所述联轴器的一侧。
其中,所述输出组件还包括光电传感器,所述光电传感器与所述连接管固定连接,并位于所述连接管靠近所述联轴器的一侧。
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