[发明专利]一种提高LED芯片提取效率的方法有效
| 申请号： | 202110232484.2 | 申请日： | 2021-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN113036006B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 袁凤坡;唐兰香;路立锋;田志怀;曹增波;孟立智 | 申请（专利权）人： | 同辉电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 河北知亦可为专利代理事务所(特殊普通合伙) 13115 | 代理人： | 张梅申 |
| 地址： | 050200 河北省石家庄*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 led 芯片 提取 效率 方法 | ||
1.一种提高LED芯片提取效率的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、将LED芯片放置在浸泡箱内部，并将腐蚀剂适量添加到浸泡箱内，浸泡箱内的加热管对腐蚀剂加热5-10分钟，待浸泡箱内的温度降至常温时，将LED芯片取出备用；
步骤二、将云母粉、氧化锡粉和锑粉按照1：1：1的比例放置在立式搅拌箱内，通过电机带动搅拌杆转动充分混合搅拌箱内的物质，从而得到混合物a；
步骤三、向搅拌箱内添加溶剂，控制立式搅拌箱再次转动1-2min，并将混合物b取出备用，将LED芯片浸泡在混合物中；
步骤四、将LED芯片放置在加热箱内部进行烘干，取出后放置在室内冷却降温，即可得到LED芯片；
在所述步骤一中，腐蚀剂的成分是由磷酸和超纯水按照1：1的比例充分搅拌混合而成的；
在所述步骤三中，溶剂是蒸馏水或超纯水中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的一种提高LED芯片提取效率的方法，其特征在于：在所述步骤一中，浸泡箱内加热管加热腐蚀剂的温度控制在40-50℃。
3.根据权利要求1所述的一种提高LED芯片提取效率的方法，其特征在于：在所述步骤四中，用于烘干LED芯片的加热箱内部温度控制在20-30℃。
4.根据权利要求1所述的一种提高LED芯片提取效率的方法，其特征在于：在所述步骤二中，云母粉、氧化锡粉和锑粉的目数均在900-1000目。
5.根据权利要求1所述的一种提高LED芯片提取效率的方法，其特征在于：在所述步骤四中，冷却LED芯片的环境为无尘环境，且室内温度控制在15-25℃。
6.根据权利要求1所述的一种提高LED芯片提取效率的方法，其特征在于：在所述步骤三中，浸泡温度为30℃-40℃，浸泡时间为50-60min。
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