[发明专利]一种提高LED芯片提取效率的方法

说明书

本发明公开了一种提高LED芯片提取效率的方法，包括以下步骤：步骤一、将LED芯片放置在浸泡箱内部，并将腐蚀剂适量添加到浸泡箱内，浸泡箱内的加热管对腐蚀剂加热5‑10分钟，待浸泡箱内的温度降至常温时，将LED芯片取出备用；步骤二、将云母粉、氧化锡粉和锑粉按照1：1：1的比例放置在立式搅拌箱内；在对LED芯片进行加工时，将云母粉、氧化锡粉和锑粉混合得到混合物a，再将溶剂与混合物a混合得到混合物b将LED芯片浸泡在混合物b中，并对浸泡时的温度和时间进行控制，氧化锡具有较高的导电性和稳定性，与锑粉混合后，大大提高电导性，且再与云母粉混合，大大提高了LED芯片的耐高温性能，从而大大提高LED芯片的提取效率。

技术领域

本发明涉及LED芯片技术领域，具体为一种提高LED芯片提取效率的方法。

背景技术

众所周知，LED芯片是一种固态的半导体器件，LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来，也称为led发光芯片，是led灯的核心组件，也就是指的P-N结。其主要功能是：把电能转化为光能，芯片的主要材料为单晶硅。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子，为了提高LED芯片的提取效率，需要对LED芯片进行加工；

中国公开发明：CN111710765A公开了提高LED倒装芯片光提取效率的方法，其在使用时，在LED倒装芯片的衬底背面形成粗化的微纳图形结构，可有效减少了衬底表面附近光的全反射，增加了衬底内的波导光的提取效率，然而还存在以下问题：

现有方法只通过改善了LED芯片表面的粗化，这种方法容易影响LED芯片的透光和电导率，不利于电流在LED芯片表面的扩展和传导，从而大大降低LED芯片的使用寿命，为此，提出一种提高LED芯片提取效率的方法。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种提高LED芯片提取效率的方法。

(二)技术方案

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种提高LED芯片提取效率的方法，包括以下步骤：

步骤一、将LED芯片放置在浸泡箱内部，并将腐蚀剂适量添加到浸泡箱内，浸泡箱内的加热管对腐蚀剂加热5-10分钟，待浸泡箱内的温度降至常温时，将LED芯片取出备用；

步骤二、将云母粉、氧化锡粉和锑粉按照1：1：1的比例放置在立式搅拌箱内，通过电机带动搅拌杆转动充分混合搅拌箱内的物质，从而得到混合物a；

步骤三、向搅拌箱内添加溶剂，控制立式搅拌箱再次转动1-2min，并将混合物b取出备用，将LED芯片浸泡在混合物中；

步骤四、将LED芯片放置在加热箱内部进行烘干，取出后放置在室内冷却降温，即可得到LED芯片。

优选的，在所述步骤一中，腐蚀剂的成分是由磷酸和超纯水按照1：1的比例充分搅拌混合而成的。

优选的，在所述步骤三中，溶剂是蒸馏水或超纯水中的一种或多种。

优选的，在所述步骤一中，浸泡箱内加热管加热腐蚀剂的温度控制在40-50℃。

优选的，在所述步骤四中，用于烘干LED芯片的加热箱内部温度控制在20-30℃。

优选的，在所述步骤二中，云母粉、氧化锡粉和锑粉的目数均在900-1000目。

优选的，在所述步骤四中，冷却LED芯片的环境为无尘环境，且室内温度控制在15-25℃。

优选的，在所述步骤三中，浸泡温度为30℃-40℃，浸泡时间为50-60min。

(三)有益效果