[发明专利]一种隧穿场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202110232821.8 | 申请日： | 2021-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN113178490A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 曹磊;张青竹;殷华湘;张兆浩;顾杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
1.一种隧穿场效应晶体管，其特征在于：包括：
衬底；
纳米片堆栈部，其设置在所述衬底上，形成多个导电沟道；纳米片堆栈部包括：纳米片形成的叠层及位于相邻纳米片之间的支撑结构，所述支撑结构是第一半导体形成的，所述纳米片是第二半导体形成的；所述纳米片的宽度大于支撑结构的宽度；
环绕式栅极，其环绕于纳米堆栈部周围；所述环绕式栅极包括铁电层；
掺杂类型相反的源极和漏极。
2.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于：所述源极为N型掺杂，所述漏极为P型掺杂。
3.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于：所述源极为P型掺杂，所述漏极为N型掺杂。
4.根据权利要求1或2所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于：其特征在于：所述源极材料为SiGe中掺杂P，所述漏极材料为SiGe中掺杂B。
5.根据权利要求1或3所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于：其特征在于：所述源极材料为Si中掺杂B，所述漏极材料为Si中掺杂P。
6.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于：所述第一半导体为Si，所述第二半导体为SiGe。
7.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于：所述第一半导体为SiGe，所述第二半导体为Si。
8.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于：所述环绕式栅极由内到外依次包括高K介质层、铁电层和金属栅。
9.根据权利要求6获取所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于：所述环绕式栅极由内到外依次包括高K介质层、金属层、铁电层和金属栅。
10.根据权利要求1、6或7所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于：所述铁电层材料为SiHfZrO2、HfO或HfAlO。
11.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于：所述纳米片宽度范围为5-50nm，厚度范围为3-20nm。
12.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于：所述支撑结构高度范围为5-30nm，宽度范围为3-40nm。
13.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于：所述衬底为体硅或绝缘体上硅。
14.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于：所述导电沟道长度范围为12-24nm。
15.根据权利要求6所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于：所述高k介质层为HfO2或Al2O3。
16.根据权利要求6所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于：所述金属栅为钨(W)或钴(Co)。
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