[发明专利]一种倒装真空晶圆贴膜装置在审
申请号: | 202110235041.9 | 申请日: | 2021-03-03 |
公开(公告)号: | CN112786497A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 沈凯 | 申请(专利权)人: | 芯钛科半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 丁云 |
地址: | 200070 上海市静*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 倒装 真空 晶圆贴膜 装置 | ||
1.一种倒装真空晶圆贴膜装置,其特征在于,该装置包括上真空腔(1)和下真空腔(2),所述的上真空腔(1)和下真空腔(2)分别独立与吸真空设备连接,所述的上真空腔(1)中设有吸附晶圆(3)电路板面的吸附结构,用于贴膜的薄膜通过张紧结构张紧,所述的下真空腔(2)中设有支撑结构,所述的张紧结构固定在支撑结构上,所述的下真空腔(2)中支撑台下方设有用于驱动支撑结构上下运动的驱动结构,张紧结构安装到位后,张紧结构上的薄膜下表面与下真空腔(2)的腔体连通,同时支撑结构和张紧结构将上真空腔(1)和下真空腔(2)隔离;
晶圆(3)贴膜时,将上真空腔(1)和下真空腔(2)对接,通过吸真空设备分别对上真空腔(1)和下真空腔(2)吸真空且使得下真空腔(2)中压力大于下真空腔(2)中压力,张紧结构上的薄膜向上鼓球,驱动结构驱动支撑结构上移,薄膜贴附于晶圆(3)下表面。
2.根据权利要求1所述的一种倒装真空晶圆贴膜装置,其特征在于,所述的上真空腔(1)和下真空腔(2)的内部真空区域均呈圆柱状,两者直径一致,且均大于晶圆(3)直径。
3.根据权利要求1所述的一种倒装真空晶圆贴膜装置,其特征在于,吸附结构包括真空吸附结构。
4.根据权利要求3所述的一种倒装真空晶圆贴膜装置,其特征在于,真空吸附结构包括吸附板,所述的吸附板固定在上真空腔(1)中,所述的吸附板的吸附执行面上分布若干真空吸盘,当进行贴膜时,晶圆(3)电路板面贴合吸附板的吸附执行面上且晶圆(3)处于水平状态,晶圆(3)的非电路板面朝下正对下真空腔(2)。
5.根据权利要求1所述的一种倒装真空晶圆贴膜装置,其特征在于,所述的张紧结构包括圆环铁框,所述的薄膜张紧在圆环铁框上,所述的圆环铁框中空区域直径大于晶圆(3)直径。
6.根据权利要求5所述的一种倒装真空晶圆贴膜装置,其特征在于,所述的支撑结构包括圆柱环,所述的圆柱环通过驱动结构支撑并驱动,所述的圆环铁框放置在圆柱环上表面,所述的圆柱环上表面边缘设有一圈向上凸起用于卡设圆柱铁框的凸缘。
7.根据权利要求6所述的一种倒装真空晶圆贴膜装置,其特征在于,所述的凸缘高度不大于圆环铁框的厚度。
8.根据权利要求6所述的一种倒装真空晶圆贴膜装置,其特征在于,所述的圆柱环外壁面通过第一密封件与下真空腔(2)内壁面密封,同时,圆环铁框外壁面通过第二密封件与所述的凸缘密封。
9.根据权利要求1所述的一种倒装真空晶圆贴膜装置,其特征在于,所述的驱动结构包括直线电机,所述的直线电机连接支撑结构。
10.根据权利要求1所述的一种倒装真空晶圆贴膜装置,其特征在于,所述的下真空腔(2)外侧设有用于将其固定的固定支架(5)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造