[发明专利]高功率半导体光纤耦合激光器封装方法

说明书

本发明提供一种高功率半导体光纤耦合激光器封装方法，该方法包括：获取准直器安装后的目标激光器；对所述目标激光器进行第一温度循环，获取第一温度循环后的目标激光器；基于第一温度循环后的目标激光器，进行反射镜耦合，以使得反射镜耦合后继续进行正常生产。本发明提供的一种高功率半导体光纤耦合激光器封装方法，通过在激光器安装步骤和反射镜耦合步骤之间增加温度循环步骤，释放前面步骤的胶水应力，由于在反射镜耦合步骤之前胶水应力已经释放出来了，因此在后面第二次温度循环时反射镜耦合机械位置发生改变的程度就会比较小，从而提高了激光器最终的耦合效率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种高功率半导体光纤耦合激光器封装方法。

背景技术

随着国产工业激光芯片的技术发展，单管芯功率越来越大，功率越大带来的热量也就越高，散热是影响其可靠性最大的因素。对芯片的封装水平要求也就越来越高。

如图1所示，现有的激光器在方案经过粘贴慢轴准直(SAC)、快轴准直(FAC)、准直器安装和反射镜耦合后搭建起激光器的光路。然后温循工序通过高低温温度循环来释放已经固化的胶水内部应力。随着应力的释放，每一道涉及到胶水的岗位都会发生机械位置上的变动。从而随着应力的释放，激光器的功率就会下降、耦合效率降低。

发明内容

本发明提供一种高功率半导体光纤耦合激光器封装方法，用以提高激光器后成品耦合效率。

本发明提供一种高功率半导体光纤耦合激光器封装方法，包括：

获取准直器安装后的目标激光器；

对所述目标激光器进行第一温度循环，获取第一温度循环后的目标激光器；

基于第一温度循环后的目标激光器，进行反射镜耦合。

本发明提供的一种高功率半导体光纤耦合激光器封装方法，所述第一温度循环的温度范围为-20摄氏度至80摄氏度。

本发明提供的一种高功率半导体光纤耦合激光器封装方法，所述第一温度循环包括20次温度子循环，每次温度子循环的时间为1小时。

本发明提供的一种高功率半导体光纤耦合激光器封装方法，所述基于第一温度循环后的目标激光器，继续进行封装入库，包括：

依次对第一温度循环后的目标激光器进行反射镜耦合、封盖前测试、封盖、第二温度循环、温循后测试、老化、终测操作，最后入库。

本发明提供的一种高功率半导体光纤耦合激光器封装方法，所述获取准直器安装后的目标激光器，包括：

依次进行COS筛选、清洗底座、COS焊接到底座上、粘贴慢轴准直、COS串联打线、快轴准直、管壳焊接和准直器安装，获取准直器安装后的目标激光器。

本发明提供的一种高功率半导体光纤耦合激光器封装方法，所述第二温度循环的温度范围为-20摄氏度至80摄氏度。

本发明提供的一种高功率半导体光纤耦合激光器封装方法，所述第二温度循环包括20次温度子循环，每次温度子循环的时间为1小时。

本发明提供的一种高功率半导体光纤耦合激光器封装方法，通过在激光器安装步骤和反射镜耦合步骤之间增加温度循环步骤，释放前面步骤的胶水应力，由于在反射镜耦合步骤之前胶水应力已经释放出来了，因此在后面第二次温度循环时反射镜耦合机械位置发生改变的程度就会比较小，从而提高了激光器的耦合效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中光纤耦合激光器的封装工艺流程；