[发明专利]半导体元件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一第一半导体结构；

一第一连接结构，包括一第一连接隔离层、多个第一连接接触点以及多个第一支撑接触点，该第一连接隔离层位在该第一半导体结构上，该多个第一连接接触点位在该第一连接隔离层中，该多个第一支撑接触点位在该第一连接隔离层中；以及

一第二半导体结构，设置于该第一连接结构上，其中该多个第一连接接触点的上表面接触该第二半导体结构的一下表面；

其中该多个第一连接接触点的上表面以及该多个第一支撑接触点的上表面凸出该第一连接隔离层的上表面。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该多个第一连接接触点具有一厚度，大于该多个第一支撑接触点的一厚度。

3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第一半导体结构包括一第一基底以及一第一内连接结构，该第一基底位在该第一连接结构下，该第一内连接结构位在该第一基底与该第一连接结构之间，其中该第一连接隔离层位在该第一内连接结构上。

4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该第一内连接结构包括一第一隔离层以及多个第一导电特征，该第一隔离层位在该第一基底上，该多个第一导电特征位在该第一隔离层中，其中该多个第一连接接触点的下表面接触该多个第一导电特征的上表面，而该多个第一导电特征的上表面与该第一隔离层的一上表面为共面。

5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该第二半导体结构包括一第二内连接结构以及一第二基底，该第二内连接结构位在该第一连接结构上，该第二基底位在该第二内连接结构上，其中该第二内连接结构包括一第二隔离层以及多个第二导电特征，该第二隔离层位在该第一连接结构上，该多个第二道店特征位在该第二隔离层中，其中该多个底一连接接触点的上表面接触该多个第二导电特征的下表面，而该多个第二特征的下表面与该第二隔离层的一下表面为共面。

6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该第二内连接结构包括多个保护环，位在该第二隔离层中，其中该多个保护环的下表面接触该多个第一支撑接触点的上表面。

7.如权利要求6所述的半导体元件，还包括多个第一衬垫，位在该多个第一连接接触点的侧壁上，并位在该多个第一连接接触点下表面上。

8.如权利要求7所述的半导体元件，还包括一第一多孔层，位在该第一连接隔离层与该第二隔离层之间、该第一连接隔离层与该多个第一连接接触点之间，以及该第一连接隔离层与该多个第一支撑接触点之间，其中该第一多孔层的一孔隙率介于大约25％到大约100％之间。

9.如权利要求8所述的半导体元件，还包括多个第一衬垫，位在该第一多孔层与该多个第一连接接触点之间以及在该第一多孔层与所述多个第一支撑接触点之间。

10.如权利要求9所述的半导体元件，还包括一贯穿基底通孔，位在该第二基底中。

11.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一连接隔离层包括一第一下隔离层、一第一中间隔离层以及一第一上隔离层，该第一下隔离层位在该第一半导体结构的该上表面上，该第一中间隔离层位在该第一下隔离层上，该第一上隔离层位在该第一中间隔离层上，其中该多个第一连接接触点穿过该第一下隔离层、该第一中间隔离层以及该第一上隔离层，且该多个第一支撑接触点位在该第一上隔离层中。

12.如权利要求2所述的半导体元件，还包括一第二连接结构以及一第二半导体结构，该第二连接结构位在该第一连接结构上，该第二半导体结构位在该第二连接结构上，其中该第二连接结构包括一第二连接隔离层、多个第二连接接触点以及多个第二支撑接触点，该第二连接隔离层位在该第一连接结构上，该多个第二连接接触点位在该第二连接隔离层中，该多个第二支撑接触点位在该第二连接隔离层中，其中该多个第二连接接触点的下表面接触该多个第一连接接触点的上表面。