[发明专利]半导体元件及其制备方法

说明书

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一第一半导体结构；一第一连接结构，包括一第一连接隔离层、多个第一连接接触点以及多个第一支撑接触点，该第一连接隔离层位在该第一半导体结构上，该多个第一连接接触点位在该第一连接隔离层中，该多个第一支撑接触点位在该第一连接隔离层中；以及一第二半导体结构，设置于该第一连接结构上，其中该多个第一连接接触点的上表面接触该第二半导体结构的一下表面；其中该多个第一连接接触点的上表面以及该多个第一支撑接触点的上表面凸出该第一连接隔离层的上表面。

技术领域

本公开主张2020年3月19日申请的美国正式申请案第16/823,759号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。

本公开涉及一种半导体元件及该半导体元件的一制备方法。特别涉及一种具有导电突部的半导体元件及该半导体元件的制备方法。

背景技术

半导体元件使用在不同的电子应用中，例如个人电脑、移动电话、数码相机，以及其他电子设备。半导体元件的尺寸持续地等比例缩小，以符合运算力(computing ability)的需求。然而，许多的问题的变异出现在等比例缩小工艺期间，且这些问题的数量及复杂度不断增加。因此，在达到改善品质、良率、效能与可靠度以及降低复杂度上仍具有挑战性。

上文的“现有技术”说明仅提供背景技术，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

发明内容

本公开的一实施例提供一种半导体元件，包括一第一半导体结构；一第一连接结构，包括一第一连接隔离层、多个第一连接接触点以及多个第一支撑接触点，该第一连接隔离层位在该第一半导体结构上，该多个第一连接接触点位在该第一连接隔离层中，该多个第一支撑接触点位在该第一连接隔离层中；以及一第二半导体结构，设置于该第一连接结构上，其中该多个第一连接接触点的上表面接触该第二半导体结构的一下表面；其中该多个第一连接接触点的上表面以及该多个第一支撑接触点的上表面凸出该第一连接隔离层的上表面。

在一些实施例中，该多个第一连接接触点具有一厚度，大于该多个第一支撑接触点的一厚度。

在一些实施例中，该第一半导体结构包括一第一基底以及一第一内连接结构，该第一基底位在该第一连接结构下，该第一内连接结构位在该第一基底与该第一连接结构之间，其中该第一连接隔离层位在该第一内连接结构上。

在一些实施例中，该第一内连接结构包括一第一隔离层以及多个第一导电特征，该第一隔离层位在该第一基底上，该多个第一导电特征位在该第一隔离层中，其中该多个第一连接接触点的下表面接触该多个第一导电特征的上表面，而该多个第一导电特征的上表面与该第一隔离层的一上表面为共面。

在一些实施例中，该第二半导体结构包括一第二内连接结构以及一第二基底，该第二内连接结构位在该第一连接结构上，该第二基底位在该第二内连接结构上。该第二内连接结构包括一第二隔离层以及多个第二导电特征，该第二隔离层位在该第一连接结构上，该多个第二道店特征位在该第二隔离层中。该多个底一连接接触点的上表面接触该多个第二导电特征的下表面，而该多个第二特征的下表面与该第二隔离层的一下表面为共面。

在一些实施例中，该第二内连接结构包括多个保护环(guard rings)，位在该第二隔离层中，其中该多个保护环的下表面接触该多个第一支撑接触点的上表面。

在一些实施例中，该半导体元件还包括多个第一衬垫，位在该多个第一连接接触点的侧壁上，并位在该多个第一连接接触点下表面上。

在一些实施例中，半导体元件，还包括一第一多孔(porous)层，位在该第一连接隔离层与该第二隔离层之间、该第一连接隔离层与该多个第一连接接触点之间，以及该第一连接隔离层与该多个第一支撑接触点之间。该第一多孔层的一孔隙率介于大约25％到大约100％之间。